STS4DNFS30L

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STS4DNFS30L
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 30V 4A 8-SOIC
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STS4DNFS30L.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (макс.)

±16V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

8-SO
Серии

STripFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

55 mOhm @ 2A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

2W (Tc)
упаковка

Tape & Reel (TR)
Упаковка /

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Другие названия

497-3227-2
Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

330pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

9nC @ 5V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

Schottky Diode (Isolated)
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

30V
Подробное описание

N-Channel 30V 4A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount 8-SO
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

4A (Tc)

Ниже приведены продукты, связанные с STS4DNFS30L.

STS3C2F100

Описание: MOSFET N/P-CH 100V 3A 8SOIC

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STS4DNFS30L

Онлайн - запрос

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык