STTA1206G-TR

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

1000+

$1.37

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STTA1206G-TR
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

DIODE GEN PURP 600V 12A D2PAK
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STTA1206G-TR.pdf
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если

1.75V @ 12A
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс)

600V
Поставщик Упаковка устройства

D2PAK
скорость

Fast Recovery = 200mA (Io)
Серии

TURBOSWITCH™
Обратное время восстановления (ТИР)

55ns
упаковка

Tape & Reel (TR)
Упаковка /

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Рабочая температура - Соединение

150°C (Max)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Диод Тип

Standard
Подробное описание

Diode Standard 600V 12A Surface Mount D2PAK
Ток - Обратный утечки @ Vr

100µA @ 600V
Текущий - средний выпрямленный (Io)

12A
Емкостной @ В.Р., F

-

Ниже приведены продукты, связанные с STTA1206G-TR.

STTA1212D

Описание: DIODE GEN PURP 1.2KV 12A TO220AC

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STTA1206G-TR

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык