STTH1L06RL

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

5000+

$0.141

10000+

$0.131

25000+

$0.129

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STTH1L06RL
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

DIODE GEN PURP 600V 1A DO41
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STTH1L06RL.pdf
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если

1.3V @ 1A
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс)

600V
Поставщик Упаковка устройства

DO-41
скорость

Fast Recovery = 200mA (Io)
Серии

-
Обратное время восстановления (ТИР)

80ns
упаковка

Tape & Reel (TR)
Упаковка /

DO-204AL, DO-41, Axial
Другие названия

497-3242-2
Рабочая температура - Соединение

175°C (Max)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления

29 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Диод Тип

Standard
Подробное описание

Diode Standard 600V 1A Through Hole DO-41
Ток - Обратный утечки @ Vr

1µA @ 600V
Текущий - средний выпрямленный (Io)

1A
Емкостной @ В.Р., F

-
Номер базового номера

STTH1L06

Ниже приведены продукты, связанные с STTH1L06RL.

STTH1R02Q

Описание: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO15

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STTH1L06RL

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык