STTH312B

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STTH312B
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

DIODE GEN PURP 1.2KV 3A DPAK
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STTH312B.pdf
Напряжение - Пиковое обратное (Макс)

Standard
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если

3A
Напряжение - Разбивка

D-Pak
Серии

-
Статус RoHS

Tube
Обратное время восстановления (ТИР)

Fast Recovery = 200mA (Io)
Сопротивление @ Если, F

-
поляризация

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Рабочая температура - Соединение

115ns
Тип установки

Surface Mount
Уровень влажности (MSL)

3 (168 Hours)
Номер детали производителя

STTH312B
Расширенное описание

Diode Standard 1200V (1.2kV) 3A Surface Mount D-Pak
Диод Конфигурация

10µA @ 1200V
Описание

DIODE GEN PURP 1.2KV 3A DPAK
Ток - Обратный утечки @ Vr

2V @ 3A
Текущий - средний выпрямленный (Io) (за Diode)

1200V (1.2kV)
Емкостной @ В.Р., F

175°C (Max)

Ниже приведены продукты, связанные с STTH312B.

STTH31AC06SWL

Описание: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STTH312B

Онлайн - запрос

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык