1907116

STTH4L06QRL

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

6000+

$0.241

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STTH4L06QRL
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

DIODE GEN PURP 600V 4A DO15
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STTH4L06QRL.pdf
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если

1.3V @ 3A
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс)

600V
Поставщик Упаковка устройства

DO-15
скорость

Fast Recovery = 200mA (Io)
Серии

-
Обратное время восстановления (ТИР)

75ns
упаковка

Tape & Reel (TR)
Упаковка /

DO-204AC, DO-15, Axial
Рабочая температура - Соединение

175°C (Max)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Диод Тип

Standard
Подробное описание

Diode Standard 600V 4A Through Hole DO-15
Ток - Обратный утечки @ Vr

3µA @ 600V
Текущий - средний выпрямленный (Io)

4A
Емкостной @ В.Р., F

-
Номер базового номера

STTH4L06

Ниже приведены продукты, связанные с STTH4L06QRL.

STTH3R06RL

Описание: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STTH4L06QRL

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык