STTH4R06DEE-TR

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

$1.59

10+

$1.42

100+

$1.107

500+

$0.914

1000+

$0.722

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STTH4R06DEE-TR
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

DIODE GEN PURP 600V 4A POWERFLAT
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STTH4R06DEE-TR.pdf
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если

1.7V @ 4A
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс)

600V
Поставщик Упаковка устройства

PowerFlat™ (3.3x3.3)
скорость

Fast Recovery = 200mA (Io)
Серии

-
Обратное время восстановления (ТИР)

50ns
упаковка

Original-Reel®
Упаковка /

8-PowerVDFN
Другие названия

497-13333-6
Рабочая температура - Соединение

150°C (Max)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления

29 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Диод Тип

Standard
Подробное описание

Diode Standard 600V 4A Surface Mount PowerFlat™ (3.3x3.3)
Ток - Обратный утечки @ Vr

3µA @ 600V
Текущий - средний выпрямленный (Io)

4A
Емкостной @ В.Р., F

-
Номер базового номера

STTH4R06

Ниже приведены продукты, связанные с STTH4R06DEE-TR.

STTH4R02FP

Описание: DIODE GEN PURP 200V 4A TO220FP

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STTH4R06DEE-TR

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык