STTH80S06W

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

$4.15

10+

$3.724

100+

$3.051

500+

$2.597

1000+

$2.19

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STTH80S06W
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

DIODE TURBO2 600V 80A DO247
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STTH80S06W.pdf
Напряжение - Пиковое обратное (Макс)

Standard
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если

80A
Напряжение - Разбивка

DO-247
Серии

-
Статус RoHS

Tube
Обратное время восстановления (ТИР)

Fast Recovery = 200mA (Io)
Сопротивление @ Если, F

-
поляризация

DO-247-2 (Straight Leads)
Другие названия

497-16023-5
Рабочая температура - Соединение

75ns
Тип установки

Through Hole
Уровень влажности (MSL)

1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления

7 Weeks
Номер детали производителя

STTH80S06W
Расширенное описание

Diode Standard 600V 80A Through Hole DO-247
Диод Конфигурация

50µA @ 600V
Описание

DIODE TURBO2 600V 80A DO247
Ток - Обратный утечки @ Vr

2.2V @ 20A
Текущий - средний выпрямленный (Io) (за Diode)

600V
Емкостной @ В.Р., F

-40°C ~ 175°C

Ниже приведены продукты, связанные с STTH80S06W.

STTH806DIRG

Описание: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STTH80S06W

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык