STTH8R06GY-TR

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

$1.50

10+

$1.34

100+

$1.045

500+

$0.863

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STTH8R06GY-TR
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STTH8R06GY-TR.pdf
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если

3.2V @ 8A
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс)

600V
Поставщик Упаковка устройства

D²PAK
скорость

Fast Recovery = 200mA (Io)
Серии

-
Обратное время восстановления (ТИР)

45ns
упаковка

Cut Tape (CT)
Упаковка /

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Другие названия

497-12359-1
Рабочая температура - Соединение

-40°C ~ 175°C
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления

29 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Диод Тип

Standard
Подробное описание

Diode Standard 600V 8A Surface Mount D²PAK
Ток - Обратный утечки @ Vr

30µA @ 600V
Текущий - средний выпрямленный (Io)

8A
Емкостной @ В.Р., F

-
Номер базового номера

STTH8R06

Ниже приведены продукты, связанные с STTH8R06GY-TR.

STTS2004B2DN3F

Описание: MOD TEMP SENSOR 4KB EEP 8TDFN

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STTH8R06GY-TR

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык