STU6N60M2

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

$1.53

75+

$1.224

150+

$1.071

525+

$0.83

1050+

$0.656

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STU6N60M2
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 600V IPAK
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STU6N60M2.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (макс.)

±25V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

I-PAK
Серии

MDmesh™ II Plus
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2 Ohm @ 2.25A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

60W (Tc)
упаковка

Tube
Упаковка /

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Другие названия

497-13978-5
STU6N60M2-ND
Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

232pF @ 100V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

13.5nC @ 10V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

600V
Подробное описание

N-Channel 600V 4.5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole I-PAK
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

4.5A (Tc)

Ниже приведены продукты, связанные с STU6N60M2.

STU6N90K5

Описание: N-CHANNEL 900 V, 2.1 OHM TYP., 3

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STU6N60M2

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык