STW13NB60

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

1200+

$3.631

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STW13NB60
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 600V 13A TO-247
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Содержит несоответствие свинца / RoHS
Спецификация

STW13NB60.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (макс.)

±30V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

TO-247-3
Серии

PowerMESH™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

540 mOhm @ 6.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

190W (Tc)
упаковка

Tube
Упаковка /

TO-247-3
Другие названия

497-2772-5
Рабочая Температура

150°C (TJ)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

2600pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

82nC @ 10V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

600V
Подробное описание

N-Channel 600V 13A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247-3
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

13A (Tc)

Ниже приведены продукты, связанные с STW13NB60.

STW13N80K5

Описание: MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STW13NB60

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык