ULN2065B

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

$2.81

25+

$2.379

100+

$2.027

500+

$1.665

1000+

$1.38

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

ULN2065B
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

TRANS 4NPN DARL 80V 1.75A 16DIP
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

ULN2065B.pdf
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)

80V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic

1.5V @ 2.25mA, 1.5A
Тип транзистор

4 NPN Darlington (Quad)
Поставщик Упаковка устройства

16-PowerDIP (20x7.10)
Серии

-
Мощность - Макс

1W
упаковка

Tube
Упаковка /

16-PowerDIP (0.300", 7.62mm)
Другие названия

497-2349-5
Рабочая Температура

-20°C ~ 85°C (TA)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления

38 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Частота - Переход

-
Подробное описание

Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN Darlington (Quad) 80V 1.75A 1W Through Hole 16-PowerDIP (20x7.10)
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce

-
Ток - Коллектор Граничная (Макс)

-
Ток - коллектор (Ic) (Макс)

1.75A

Ниже приведены продукты, связанные с ULN2065B.

ULN2004APG,C,N

Описание: IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16DIP

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

ULN2065B

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык