Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Оптоэлектроника > Лазерные диоды, модули > GH04P21A2GE
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
3823232GH04P21A2GE Image.Sharp Microelectronics

GH04P21A2GE

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    GH04P21A2GE
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    LASER DIODE 406NM 105MW TO18
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Модель ECAD
  • длина волны
    406nm
  • Напряжение - Вход
    5.4V
  • Серии
    -
  • Мощность (Вт)
    105mW
  • Упаковка /
    Radial, Can, 3 Lead (5.6mm, TO-18)
  • Другие названия
    425-2697
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    2 (1 Year)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Подробное описание
    Laser Diode 406nm 105mW 5.4V 150mA Radial, Can, 3 Lead (5.6mm, TO-18)
  • Текущий рейтинг
    150mA
GH0781JA2C

GH0781JA2C

Описание: LASER DIODE 784NM 120MW TO18

Производители: Sharp Microelectronics
Быть в наличии
GH06510B2A

GH06510B2A

Описание: LASER DIODE 654NM 10MW TO18

Производители: Sharp Microelectronics
Быть в наличии
DM80-01-3-8890-3-LC

DM80-01-3-8890-3-LC

Описание: LASER DIODE 1587NM 2.511MW

Производители: Finisar Corporation
Быть в наличии
GH06550B2B

GH06550B2B

Описание: LASER DIODE 654NM 50MW TO18

Производители: Sharp Microelectronics
Быть в наличии
SPL BZ94-40-7 (957,5 +/-2NM)

SPL BZ94-40-7 (957,5 +/-2NM)

Описание: BARE LASER BAR

Производители: OSRAM Opto Semiconductors, Inc.
Быть в наличии
DM80-01-1-8760-3-LC

DM80-01-1-8760-3-LC

Описание: LASER DIODE 1598NM 5.011MW

Производители: Finisar Corporation
Быть в наличии
GH06507B2A

GH06507B2A

Описание: LASER DIODE 654NM 7MW TO18

Производители: Sharp Microelectronics
Быть в наличии
VLM-532-43-LCB

VLM-532-43-LCB

Описание: LASER DIODE 532NM 10MW 13MM DIA

Производители: Quarton, Inc.
Быть в наличии
DM80-01-3-8700-3-LC

DM80-01-3-8700-3-LC

Описание: LASER DIODE 1603NM 2.511MW

Производители: Finisar Corporation
Быть в наличии
VLM-650-26-LPA

VLM-650-26-LPA

Описание: LASER DIODE 650NM 5MW

Производители: Quarton, Inc.
Быть в наличии
HFE4191-441

HFE4191-441

Описание: LASER DIODE 850NM 0.5MW TO46-3

Производители: Finisar Corporation
Быть в наличии
GH06560B2C

GH06560B2C

Описание: LASER DIODE 658NM 60MW TO18

Производители: Sharp Microelectronics
Быть в наличии
OPV240

OPV240

Описание: LASER DIODE 850NM 4.5MW 3SMD

Производители: Optek Technology / TT Electronics
Быть в наличии
DM200-01-1-9280-0-LC

DM200-01-1-9280-0-LC

Описание: LASER DIODE 1554NM 1.995MW

Производители: Finisar Corporation
Быть в наличии
DM200-01-1-9320-0-LC

DM200-01-1-9320-0-LC

Описание: LASER DIODE 1552NM 1.995MW

Производители: Finisar Corporation
Быть в наличии
GH04020B2A

GH04020B2A

Описание: LASER DIODE 406NM 20MW TO18

Производители: Sharp Microelectronics
Быть в наличии
DM200-01-3-9310-0-LC

DM200-01-3-9310-0-LC

Описание: LASER DIODE 1552NM 1.995MW

Производители: Finisar Corporation
Быть в наличии
GH0358821MA6N

GH0358821MA6N

Описание: CAP CER 820PF 50V X7R NONSTND

Производители: AVX Corporation
Быть в наличии
NX7563JB-BC-AZ

NX7563JB-BC-AZ

Описание: LASER DIODE 1550NM 135MW 14DIP

Производители: CEL (California Eastern Laboratories)
Быть в наличии
GH04125A2A

GH04125A2A

Описание: LASER DIODE 406NM 130MW TO18

Производители: Sharp Microelectronics
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти