Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Интегральные схемы (ICs) > Память > TC58BYG2S0HBAI6
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
752395TC58BYG2S0HBAI6 Image.Toshiba Memory America, Inc.

TC58BYG2S0HBAI6

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$5.13
10+
$4.686
25+
$4.596
50+
$4.565
100+
$4.095
338+
$4.079
676+
$3.825
1014+
$3.662
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    TC58BYG2S0HBAI6
  • Изготовитель / Производитель
    Kioxia America, Inc.
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    TC58BYG2S0HBAI6.pdf
  • Время цикла записи - слово, страница
    25ns
  • Напряжение тока - поставка
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Технологии
    FLASH - NAND (SLC)
  • Поставщик Упаковка устройства
    67-VFBGA (6.5x8)
  • Серии
    Benand™
  • упаковка
    Tray
  • Упаковка /
    67-VFBGA
  • Другие названия
    TC58BYG2S0HBAI6JDH
    TC58BYG2S0HBAI6YCL
  • Рабочая Температура
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Тип памяти
    Non-Volatile
  • Размер памяти
    4Gb (512M x 8)
  • Интерфейс памяти
    Parallel
  • Формат памяти
    FLASH
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Подробное описание
    FLASH - NAND (SLC) Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 25ns 67-VFBGA (6.5x8)
  • Время доступа
    25ns

Полу: продажи IC увеличиваются на...

2024/11/22

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15

Amazon увеличивает усилия по созда...

2024/11/14

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с TC58BYG2S0HBAI6.
TC58NVG0S3HBAI4

TC58NVG0S3HBAI4

Описание: IC FLASH 1G PARALLEL 63TFBGA

Производители: Toshiba Memory America, Inc.
Быть в наличии
RFQ
TC58BVG2S0HTAI0

TC58BVG2S0HTAI0

Описание: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Производители: Toshiba Memory America, Inc.
Быть в наличии
RFQ
TC58CYG0S3HQAIE

TC58CYG0S3HQAIE

Описание: IC FLASH 1G SPI 104MHZ 16SOP

Производители: Toshiba Memory America, Inc.
Быть в наличии
RFQ
TC58CYG2S0HRAIG

TC58CYG2S0HRAIG

Описание: 4GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V

Производители: Toshiba Memory America, Inc.
Быть в наличии
RFQ
TC58CVG2S0HRAIG

TC58CVG2S0HRAIG

Описание: IC FLASH 4G SPI 104MHZ 8WSON

Производители: Toshiba Memory America, Inc.
Быть в наличии
RFQ
TC58CVG0S3HQAIE

TC58CVG0S3HQAIE

Описание: IC FLASH 1G SPI 104MHZ 16SOP

Производители: Toshiba Memory America, Inc.
Быть в наличии
RFQ
TC58BVG1S3HBAI6

TC58BVG1S3HBAI6

Описание: IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA

Производители: Toshiba Memory America, Inc.
Быть в наличии
RFQ
TC58CYG0S3HRAIG

TC58CYG0S3HRAIG

Описание: 1GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V

Производители: Toshiba Memory America, Inc.
Быть в наличии
RFQ
TC58BVG1S3HTAI0

TC58BVG1S3HTAI0

Описание: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

Производители: Toshiba Memory America, Inc.
Быть в наличии
RFQ
TC58BVG1S3HTA00

TC58BVG1S3HTA00

Описание: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

Производители: Toshiba Memory America, Inc.
Быть в наличии
RFQ
TC58CVG2S0HQAIE

TC58CVG2S0HQAIE

Описание: IC FLASH 4G SPI 104MHZ 16SOP

Производители: Toshiba Memory America, Inc.
Быть в наличии
RFQ
TC58BYG0S3HBAI4

TC58BYG0S3HBAI4

Описание: 1GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE

Производители: Toshiba Memory America, Inc.
Быть в наличии
RFQ
TC58CYG1S3HRAIG

TC58CYG1S3HRAIG

Описание: 2GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V

Производители: Toshiba Memory America, Inc.
Быть в наличии
RFQ
TC58BYG1S3HBAI6

TC58BYG1S3HBAI6

Описание: IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA

Производители: Toshiba Memory America, Inc.
Быть в наличии
RFQ
TC58CVG1S3HRAIG

TC58CVG1S3HRAIG

Описание: 2GB SERIAL NAND 24NM WSON 3.3V

Производители: Toshiba Memory America, Inc.
Быть в наличии
RFQ
TC58BYG0S3HBAI6

TC58BYG0S3HBAI6

Описание: IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA

Производители: Toshiba Memory America, Inc.
Быть в наличии
RFQ
TC58CVG0S3HRAIG

TC58CVG0S3HRAIG

Описание: IC FLASH 1G SPI 104MHZ 8WSON

Производители: Toshiba Memory America, Inc.
Быть в наличии
RFQ
TC58BVG2S0HTA00

TC58BVG2S0HTA00

Описание: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Производители: Toshiba Memory America, Inc.
Быть в наличии
RFQ
TC58BYG1S3HBAI4

TC58BYG1S3HBAI4

Описание: 2GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE

Производители: Toshiba Memory America, Inc.
Быть в наличии
RFQ
TC58BVG2S0HBAI4

TC58BVG2S0HBAI4

Описание: IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA

Производители: Toshiba Memory America, Inc.
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.