Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Интегральные схемы (ICs) > Память > TH58NYG3S0HBAI6
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
4602196TH58NYG3S0HBAI6 Image.Toshiba Memory America, Inc.

TH58NYG3S0HBAI6

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
338+
$7.337
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    TH58NYG3S0HBAI6
  • Изготовитель / Производитель
    Kioxia America, Inc.
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    IC FLASH 8G PARALLEL 67VFBGA
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    TH58NYG3S0HBAI6.pdf
  • Время цикла записи - слово, страница
    25ns
  • Напряжение тока - поставка
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Технологии
    FLASH - NAND (SLC)
  • Поставщик Упаковка устройства
    67-VFBGA (6.5x8)
  • Серии
    -
  • упаковка
    Tray
  • Упаковка /
    67-VFBGA
  • Другие названия
    TH58NYG3S0HBAI6JDH
  • Рабочая Температура
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Тип памяти
    Non-Volatile
  • Размер памяти
    8Gb (1G x 8)
  • Интерфейс памяти
    Parallel
  • Формат памяти
    FLASH
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Подробное описание
    FLASH - NAND (SLC) Memory IC 8Gb (1G x 8) Parallel 25ns 67-VFBGA (6.5x8)
  • Время доступа
    25ns

Полу: продажи IC увеличиваются на...

2024/11/22

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15

Amazon увеличивает усилия по созда...

2024/11/14

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с TH58NYG3S0HBAI6.
TH58NYG2S3HBAI4

TH58NYG2S3HBAI4

Описание: 4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V

Производители: Toshiba Memory America, Inc.
Быть в наличии
RFQ
TH58NVG2S3HTAI0

TH58NVG2S3HTAI0

Описание: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Производители: Toshiba Memory America, Inc.
Быть в наличии
RFQ
TH58NVG4S0HTA20

TH58NVG4S0HTA20

Описание: IC FLASH 16G PARALLEL 48TSOP I

Производители: Toshiba Memory America, Inc.
Быть в наличии
RFQ
TH58BVG3S0HTA00

TH58BVG3S0HTA00

Описание: IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I

Производители: Toshiba Memory America, Inc.
Быть в наличии
RFQ
TH58NVG3S0HBAI4

TH58NVG3S0HBAI4

Описание: 8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V

Производители: Toshiba Memory America, Inc.
Быть в наличии
RFQ
TH58NVG3S0HTA00

TH58NVG3S0HTA00

Описание: IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I

Производители: Toshiba Memory America, Inc.
Быть в наличии
RFQ
TH58NVG5S0FTAK0

TH58NVG5S0FTAK0

Описание: 32GB SLC NAND TSOP 32NM LB I-TEM

Производители: Toshiba Memory America, Inc.
Быть в наличии
RFQ
TH58NVG4S0FTA20

TH58NVG4S0FTA20

Описание: IC FLASH 16G PARALLEL 48TSOP I

Производители: Toshiba Memory America, Inc.
Быть в наличии
RFQ
TH58NVG3S0HTAI0

TH58NVG3S0HTAI0

Описание: IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I

Производители: Toshiba Memory America, Inc.
Быть в наличии
RFQ
TH58NVG4S0HTAK0

TH58NVG4S0HTAK0

Описание: IC FLASH 16G PARALLEL 48TSOP I

Производители: Toshiba Memory America, Inc.
Быть в наличии
RFQ
TH58BYG3S0HBAI6

TH58BYG3S0HBAI6

Описание: 8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V

Производители: Toshiba Memory America, Inc.
Быть в наличии
RFQ
TH58BVG3S0HTAI0

TH58BVG3S0HTAI0

Описание: 8GB SLC BENAND TSOP 24NM 4K PAGE

Производители: Toshiba Memory America, Inc.
Быть в наличии
RFQ
TH58BVG2S3HBAI4

TH58BVG2S3HBAI4

Описание: 4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 (EE

Производители: Toshiba Memory America, Inc.
Быть в наличии
RFQ
TH58NVG5S0FTA20

TH58NVG5S0FTA20

Описание: IC FLASH 32G PARALLEL 48TSOP I

Производители: Toshiba Memory America, Inc.
Быть в наличии
RFQ
TH58NVG2S3HTA00

TH58NVG2S3HTA00

Описание: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Производители: Toshiba Memory America, Inc.
Быть в наличии
RFQ
TH58BYG2S3HBAI6

TH58BYG2S3HBAI6

Описание: IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

Производители: Toshiba Memory America, Inc.
Быть в наличии
RFQ
TH58BVG2S3HTAI0

TH58BVG2S3HTAI0

Описание: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Производители: Toshiba Memory America, Inc.
Быть в наличии
RFQ
TH58BVG2S3HTA00

TH58BVG2S3HTA00

Описание: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Производители: Toshiba Memory America, Inc.
Быть в наличии
RFQ
TH58BYG2S3HBAI4

TH58BYG2S3HBAI4

Описание: 4G SLC NAND BGA 24NM

Производители: Toshiba Memory America, Inc.
Быть в наличии
RFQ
TH5E106K021A1000

TH5E106K021A1000

Описание: CAP TANT 10UF 21V 10% 2917

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.