Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > 2SK3566(STA4,Q,M)
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
30216062SK3566(STA4,Q,M) Image.Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3566(STA4,Q,M)

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    2SK3566(STA4,Q,M)
  • Изготовитель / Производитель
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 900V 2.5A TO-220SIS
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    1.2SK3566(STA4,Q,M).pdf
    2.2SK3566(STA4,Q,M).pdf
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (макс.)
    ±30V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    TO-220SIS
  • Серии
    π-MOSIV
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6.4 Ohm @ 1.5A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    40W (Tc)
  • упаковка
    Tube
  • Упаковка /
    TO-220-3 Full Pack
  • Другие названия
    2SK3566(Q)
    2SK3566(STA4QM)
    2SK3566Q
    2SK3566Q-ND
    2SK3566STA4QM
  • Рабочая Температура
    150°C (TJ)
  • Тип установки
    Through Hole
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    470pF @ 25V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    12nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    900V
  • Подробное описание
    N-Channel 900V 2.5A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    2.5A (Ta)

Антропик получает еще 4 миллиард...

2024/11/23

Полу: продажи IC увеличиваются на...

2024/11/22

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15

Amazon увеличивает усилия по созда...

2024/11/14

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

2024/11/13
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с 2SK3566(STA4,Q,M).
2SK3670(F,M)

2SK3670(F,M)

Описание: MOSFET N-CH

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
2SK3546J0L

2SK3546J0L

Описание: MOSFET N-CH 50V .1A SS-MINI-3P

Производители: Panasonic
Быть в наличии
RFQ
2SK3564(STA4,Q,M)

2SK3564(STA4,Q,M)

Описание: MOSFET N-CH 900V 3A TO-220SIS

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
2SK3703

2SK3703

Описание: MOSFET N-CH 60V 30A TO-220ML

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
2SK3547G0L

2SK3547G0L

Описание: MOSFET N-CH 50V .1A SSS-MINI-3P

Производители: Panasonic
Быть в наличии
RFQ
2SK3666-3-TB-E

2SK3666-3-TB-E

Описание: JFET N-CH 10MA 200MW 3CP

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
2SK354700L

2SK354700L

Описание: MOSFET N-CH 50V .1A SSS-MINI-3P

Производители: Panasonic
Быть в наличии
RFQ
2SK3557-7-TB-E

2SK3557-7-TB-E

Описание: JFET N-CH 15V 50MA SOT23

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
2SK3565(Q,M)

2SK3565(Q,M)

Описание: MOSFET N-CH 900V 5A TO-220SIS

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
2SK3557-6-TB-E

2SK3557-6-TB-E

Описание: JFET N-CH 15V 50MA SOT23

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
2SK3670(T6CANO,A,F

2SK3670(T6CANO,A,F

Описание: MOSFET N-CH

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
2SK3541T2L

2SK3541T2L

Описание: MOSFET N-CH 30V .1A VMT3

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
2SK3670,F(M

2SK3670,F(M

Описание: MOSFET N-CH

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
2SK3666-2-TB-E

2SK3666-2-TB-E

Описание: JFET NCH 30V 200MW 3CP

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
2SK3662(F)

2SK3662(F)

Описание: MOSFET N-CH 60V 35A TO220NIS

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
2SK3546G0L

2SK3546G0L

Описание: MOSFET N-CH 50V .1A SS-MINI-3P

Производители: Panasonic
Быть в наличии
RFQ
2SK3539G0L

2SK3539G0L

Описание: MOSFET N-CH 50V .1A S-MINI-3P

Производители: Panasonic
Быть в наличии
RFQ
2SK3670,F(J

2SK3670,F(J

Описание: MOSFET N-CH

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
2SK3670(T6CANO,F,M

2SK3670(T6CANO,F,M

Описание: MOSFET N-CH

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
2SK3666-4-TB-E

2SK3666-4-TB-E

Описание: JFET N-CH 30V 0.2W CP

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.