Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярный (БЮТ) - RF > MT3S113P(TE12L,F)
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
1058309MT3S113P(TE12L,F) Image.Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S113P(TE12L,F)

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1000+
$0.423
2000+
$0.395
5000+
$0.375
10000+
$0.36
25000+
$0.35
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    MT3S113P(TE12L,F)
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)
    5.3V
  • Тип транзистор
    NPN
  • Поставщик Упаковка устройства
    PW-MINI
  • Серии
    -
  • Мощность - Макс
    1.6W
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    TO-243AA
  • Другие названия
    MT3S113P(TE12LF)
    MT3S113P(TE12LF)TR
  • Рабочая Температура
    150°C (TJ)
  • Коэффициент шума (дБ Typ @ F)
    1.45dB @ 1GHz
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    12 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Усиление
    10.5dB
  • Частота - Переход
    7.7GHz
  • Подробное описание
    RF Transistor NPN 5.3V 100mA 7.7GHz 1.6W Surface Mount PW-MINI
  • DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    200 @ 30mA, 5V
  • Ток - коллектор (Ic) (Макс)
    100mA
MT3S113TU,LF

MT3S113TU,LF

Описание: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
MT3S20P(TE12L,F)

MT3S20P(TE12L,F)

Описание: TRANS RF NPN 12V 1GHZ PW-MINI

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
MT3S16U(TE85L,F)

MT3S16U(TE85L,F)

Описание: TRANS RF NPN 5V 1GHZ USM

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
MT38M5071A3063RZZI.YE8

MT38M5071A3063RZZI.YE8

Описание: IC FLASH RAM 512M PARALLEL

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT38W201DAA033JZZI.X68 TR

MT38W201DAA033JZZI.X68 TR

Описание: MCP 5MX16 PLASTIC 2.0V IND TEMP

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT3B3024

MT3B3024

Описание: RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 24V

Производители: Agastat Relays / TE Connectivity
Быть в наличии
MT38M5071A3063RZZI.YE8 TR

MT38M5071A3063RZZI.YE8 TR

Описание: IC FLASH RAM 512M PARALLEL

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT38W1011A90YZQXZI.XB8 TR

MT38W1011A90YZQXZI.XB8 TR

Описание: MCP X16 PLASTIC VFBGA 1.8V WIREL

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT3S111P(TE12L,F)

MT3S111P(TE12L,F)

Описание: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
MT38M5041A3034EZZI.XR6 TR

MT38M5041A3034EZZI.XR6 TR

Описание: IC FLASH RAM 512M PARAL 56VFBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT3S20TU(TE85L)

MT3S20TU(TE85L)

Описание: TRANS RF NPN 7GHZ 80MA UFM

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
MT38W2011A90YZQXZI.X68 TR

MT38W2011A90YZQXZI.X68 TR

Описание: MCP 5MX16 PLASTIC VFBGA 1.8V

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT38W1011A90YZQXZI.XB8

MT38W1011A90YZQXZI.XB8

Описание: PARALLEL/PSRAM 48M

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT38W2011A90YZQXZI.X68

MT38W2011A90YZQXZI.X68

Описание: PARALLEL/PSRAM 80M

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT3B30C4

MT3B30C4

Описание: RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 24V

Производители: Agastat Relays / TE Connectivity
Быть в наличии
MT3B6115

MT3B6115

Описание: RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 115V

Производители: Agastat Relays / TE Connectivity
Быть в наличии
MT3S111(TE85L,F)

MT3S111(TE85L,F)

Описание: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
MT38W201DAA033JZZI.X68

MT38W201DAA033JZZI.X68

Описание: MCP 5MX16 PLASTIC 2.0V IND

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT38Q2071A10CKKXAA.YHH TR

MT38Q2071A10CKKXAA.YHH TR

Описание: PARALLEL/MOBILE DDR 576M

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT3S113(TE85L,F)

MT3S113(TE85L,F)

Описание: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти