Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярный (БЮТ) - сингл, заранее пр > RN1102MFV,L3F
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
5478717RN1102MFV,L3F Image.Toshiba Semiconductor and Storage

RN1102MFV,L3F

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$0.27
10+
$0.243
25+
$0.175
100+
$0.136
250+
$0.086
500+
$0.073
1000+
$0.05
2500+
$0.045
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    RN1102MFV,L3F
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W VESM
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)
    50V
  • Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 5mA
  • Тип транзистор
    NPN - Pre-Biased
  • Поставщик Упаковка устройства
    VESM
  • Серии
    -
  • Резистор - основание эмиттера (R2)
    10 kOhms
  • Резистор - основание (R1)
    10 kOhms
  • Мощность - Макс
    150mW
  • упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Упаковка /
    SOT-723
  • Другие названия
    RN1102MFV(TL3T)CT
    RN1102MFV(TL3T)CT-ND
    RN1102MFVL3F(BCT
    RN1102MFVL3F(BCT-ND
    RN1102MFVL3FCT
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    16 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Подробное описание
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
  • DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    50 @ 10mA, 5V
  • Ток - Коллектор Граничная (Макс)
    500nA
  • Ток - коллектор (Ic) (Макс)
    100mA
RN1104MFV,L3F

RN1104MFV,L3F

Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1102CT(TPL3)

RN1102CT(TPL3)

Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN104PJ7R5CS

RN104PJ7R5CS

Описание: RES ARRAY 4 RES 7.5 OHM 0804

Производители: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Быть в наличии
RN1102,LF(CT

RN1102,LF(CT

Описание: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1103MFV,L3F

RN1103MFV,L3F

Описание: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1104,LF(CT

RN1104,LF(CT

Описание: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SSM

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1101MFV,L3F

RN1101MFV,L3F

Описание: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1104ACT(TPL3)

RN1104ACT(TPL3)

Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1103ACT(TPL3)

RN1103ACT(TPL3)

Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1101CT(TPL3)

RN1101CT(TPL3)

Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN104PJ820CS

RN104PJ820CS

Описание: RES ARRAY 4 RES 82 OHM 0804

Производители: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Быть в наличии
RN1102ACT(TPL3)

RN1102ACT(TPL3)

Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1104CT(TPL3)

RN1104CT(TPL3)

Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1101,LF(CT

RN1101,LF(CT

Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1101ACT(TPL3)

RN1101ACT(TPL3)

Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1103,LF(CT

RN1103,LF(CT

Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1103CT(TPL3)

RN1103CT(TPL3)

Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1102T5LFT

RN1102T5LFT

Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN104PJ750CS

RN104PJ750CS

Описание: RES ARRAY 4 RES 75 OHM 0804

Производители: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Быть в наличии
RN1103MFV(TPL3)

RN1103MFV(TPL3)

Описание: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти