Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярный (БЮТ) - сингл, заранее пр > RN1106MFV,L3F
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
4268777RN1106MFV,L3F Image.Toshiba Semiconductor and Storage

RN1106MFV,L3F

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
8000+
$0.027
16000+
$0.023
24000+
$0.021
56000+
$0.018
200000+
$0.015
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    RN1106MFV,L3F
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    TRANS PREBIAS NPN
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Модель ECAD
  • Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)
    50V
  • Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 5mA
  • Тип транзистор
    NPN - Pre-Biased
  • Поставщик Упаковка устройства
    VESM
  • Серии
    -
  • Резистор - основание эмиттера (R2)
    47 kOhms
  • Резистор - основание (R1)
    4.7 kOhms
  • Мощность - Макс
    150mW
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    SOT-723
  • Другие названия
    RN1106MFV,L3F(B
    RN1106MFV,L3F(T
    RN1106MFVL3F
    RN1106MFVL3F(B
    RN1106MFVL3F(T
    RN1106MFVL3F-ND
    RN1106MFVL3FTR
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    16 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Подробное описание
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
  • DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    80 @ 10mA, 5V
  • Ток - Коллектор Граничная (Макс)
    500nA
  • Ток - коллектор (Ic) (Макс)
    100mA
RN1108CT(TPL3)

RN1108CT(TPL3)

Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1108(T5L,F,T)

RN1108(T5L,F,T)

Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1106,LF(CT

RN1106,LF(CT

Описание: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1104T5LFT

RN1104T5LFT

Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1105MFV,L3F

RN1105MFV,L3F

Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1108ACT(TPL3)

RN1108ACT(TPL3)

Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1109CT(TPL3)

RN1109CT(TPL3)

Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1107,LF(CT

RN1107,LF(CT

Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1106CT(TPL3)

RN1106CT(TPL3)

Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1105CT(TPL3)

RN1105CT(TPL3)

Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1104MFV,L3F

RN1104MFV,L3F

Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1109ACT(TPL3)

RN1109ACT(TPL3)

Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1109(T5L,F,T)

RN1109(T5L,F,T)

Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1106MFV(TL3,T)

RN1106MFV(TL3,T)

Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1106ACT(TPL3)

RN1106ACT(TPL3)

Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1107ACT(TPL3)

RN1107ACT(TPL3)

Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1105ACT(TPL3)

RN1105ACT(TPL3)

Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1105,LF(CT

RN1105,LF(CT

Описание: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1109,LF(CT

RN1109,LF(CT

Описание: TRANS PREBIAS NPN 100MW SSM

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1107CT(TPL3)

RN1107CT(TPL3)

Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти