Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярный (БЮТ) - сингл, заранее пр > RN1301,LF
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
3927976RN1301,LF Image.Toshiba Semiconductor and Storage

RN1301,LF

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$0.19
10+
$0.178
25+
$0.162
100+
$0.117
250+
$0.069
500+
$0.057
1000+
$0.039
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    RN1301,LF
  • Изготовитель / Производитель
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    RN1301,LF.pdf
  • Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)
    50V
  • Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Тип транзистор
    NPN - Pre-Biased
  • Поставщик Упаковка устройства
    USM
  • Серии
    -
  • Резистор - основание эмиттера (R2)
    4.7 kOhms
  • Резистор - основание (R1)
    4.7 kOhms
  • Мощность - Макс
    100mW
  • упаковка
    Original-Reel®
  • Упаковка /
    SC-70, SOT-323
  • Другие названия
    RN1301(TE85LF)DKR
    RN1301(TE85LF)DKR-ND
    RN1301LFDKR
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    16 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Частота - Переход
    250MHz
  • Подробное описание
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount USM
  • DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    30 @ 10mA, 5V
  • Ток - Коллектор Граничная (Макс)
    500nA
  • Ток - коллектор (Ic) (Макс)
    100mA

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15

Amazon увеличивает усилия по созда...

2024/11/14

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Южная Корея планирует ввести За...

2024/11/13
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с RN1301,LF.
RN1305,LF

RN1305,LF

Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
RN122-4-02-1

RN122-4-02-1

Описание: COMMON MODE CHOKE 3.3MH 4A

Производители: Schaffner EMC, Inc.
Быть в наличии
RFQ
RN122-2.5-02-5M6

RN122-2.5-02-5M6

Описание: CMC 5.6MH 2.5A 2LN TH

Производители: Schaffner EMC, Inc.
Быть в наличии
RFQ
RN1309(TE85L,F)

RN1309(TE85L,F)

Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
RN1304,LF

RN1304,LF

Описание: X34 PB-F USM PLN (LF) TRANSISTOR

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
RN1302SU,LF

RN1302SU,LF

Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Производители: Touchstone
Быть в наличии
RFQ
RN123-I/RM

RN123-I/RM

Описание: RF TXRX MOD WIFI CHIP + U.FL ANT

Производители: Micrel / Microchip Technology
Быть в наличии
RFQ
RN1308,LF

RN1308,LF

Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
RN1306,LF

RN1306,LF

Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
RN122-4-02

RN122-4-02

Описание: CMC 3.3MH 4A 2LN TH

Производители: Schaffner EMC, Inc.
Быть в наличии
RFQ
RN125-I/RM

RN125-I/RM

Описание: RF TXRX MOD WIFI CHIP + U.FL ANT

Производители: Micrel / Microchip Technology
Быть в наличии
RFQ
RN122-3-02

RN122-3-02

Описание: CMC 4.5MH 3A 2LN TH

Производители: Schaffner EMC, Inc.
Быть в наличии
RFQ
RN122-4-02-1M8

RN122-4-02-1M8

Описание: CMC 1.8MH 4A 2LN TH

Производители: Schaffner EMC, Inc.
Быть в наличии
RFQ
RN1302,LF

RN1302,LF

Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
RN1307,LF

RN1307,LF

Описание: X34 PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
RN1309,LF

RN1309,LF

Описание: X34 PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
RN122-3-02-4M5

RN122-3-02-4M5

Описание: CMC 4.5MH 3A 2LN TH

Производители: Schaffner EMC, Inc.
Быть в наличии
RFQ
RN1303(TE85L,F)

RN1303(TE85L,F)

Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
RN122-4-02-3M3

RN122-4-02-3M3

Описание: CMC 3.3MH 4A 2LN TH

Производители: Schaffner EMC, Inc.
Быть в наличии
RFQ
RN122-2.5-02

RN122-2.5-02

Описание: CMC 5.6MH 2.5A 2LN TH

Производители: Schaffner EMC, Inc.
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.