Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярный (БЮТ) - сингл, заранее пр > RN1425TE85LF
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
1322167

RN1425TE85LF

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
3000+
$0.095
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    RN1425TE85LF
  • Изготовитель / Производитель
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    RN1425TE85LF.pdf
  • Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)
    50V
  • Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 1mA, 50mA
  • Тип транзистор
    NPN - Pre-Biased
  • Поставщик Упаковка устройства
    S-Mini
  • Серии
    -
  • Резистор - основание эмиттера (R2)
    10 kOhms
  • Резистор - основание (R1)
    470 Ohms
  • Мощность - Макс
    200mW
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Другие названия
    RN1425(TE85L,F)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    11 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Частота - Переход
    300MHz
  • Подробное описание
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 800mA 300MHz 200mW Surface Mount S-Mini
  • DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    90 @ 100mA, 1V
  • Ток - Коллектор Граничная (Макс)
    500nA
  • Ток - коллектор (Ic) (Макс)
    800mA
  • Номер базового номера
    RN142*

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15

Amazon увеличивает усилия по созда...

2024/11/14

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Южная Корея планирует ввести За...

2024/11/13
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с RN1425TE85LF.
RN142-6-02-1M8

RN142-6-02-1M8

Описание: CMC 1.8MH 6A 2LN TH

Производители: Schaffner EMC, Inc.
Быть в наличии
RFQ
RN142-2-02

RN142-2-02

Описание: CMC 6.8MH 2A 2LN TH

Производители: Schaffner EMC, Inc.
Быть в наличии
RFQ
RN142-6-02

RN142-6-02

Описание: CMC 1.8MH 6A 2LN TH

Производители: Schaffner EMC, Inc.
Быть в наличии
RFQ
RN142ZS8ATE61

RN142ZS8ATE61

Описание: DIODE PIN HF SW 30V 50MA HMD8

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
RN142-4-02-3M3

RN142-4-02-3M3

Описание: CMC 3.3MH 4A 2LN TH

Производители: Schaffner EMC, Inc.
Быть в наличии
RFQ
RN142VTE-17

RN142VTE-17

Описание: DIODE PIN 60V UMD

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
RN1421TE85LF

RN1421TE85LF

Описание: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
RN143-0.5-02-100M

RN143-0.5-02-100M

Описание: CMC 100MH 500MA 2LN TH

Производители: Schaffner EMC, Inc.
Быть в наличии
RFQ
RN142-4-02

RN142-4-02

Описание: CMC 3.3MH 4A 2LN TH

Производители: Schaffner EMC, Inc.
Быть в наличии
RFQ
RN142STE61

RN142STE61

Описание: DIODE PIN 60V 100MA EMD2 TR

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
RN1427TE85LF

RN1427TE85LF

Описание: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
RN142ZS12ATE61

RN142ZS12ATE61

Описание: DIODE PIN HF SW 30V 50MA HMD12

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
RN1426TE85LF

RN1426TE85LF

Описание: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
RN1424TE85LF

RN1424TE85LF

Описание: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
RN142-2-02-6M8

RN142-2-02-6M8

Описание: CMC 6.8MH 2A 2LN TH

Производители: Schaffner EMC, Inc.
Быть в наличии
RFQ
RN143-0.5-02

RN143-0.5-02

Описание: CMC 100MH 500MA 2LN TH

Производители: Schaffner EMC, Inc.
Быть в наличии
RFQ
RN142GT2R

RN142GT2R

Описание: DIODE PIN 60V 100MA VMD2

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
RN1423TE85LF

RN1423TE85LF

Описание: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
RN1422TE85LF

RN1422TE85LF

Описание: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
RN142ZST2R

RN142ZST2R

Описание: DIODE PIN 30V 50MA GMD2

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.