Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярный (БЮТ) - массивы, заранее > RN1601(TE85L,F)
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
6939310RN1601(TE85L,F) Image.Toshiba Semiconductor and Storage

RN1601(TE85L,F)

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    RN1601(TE85L,F)
  • Изготовитель / Производитель
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    RN1601(TE85L,F).pdf
  • Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)
    50V
  • Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Тип транзистор
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Поставщик Упаковка устройства
    SM6
  • Серии
    -
  • Резистор - основание эмиттера (R2)
    4.7 kOhms
  • Резистор - основание (R1)
    4.7 kOhms
  • Мощность - Макс
    300mW
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    SC-74, SOT-457
  • Другие названия
    RN1601(TE85LF)TR
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Частота - Переход
    250MHz
  • Подробное описание
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SM6
  • DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    30 @ 10mA, 5V
  • Ток - Коллектор Граничная (Макс)
    100nA (ICBO)
  • Ток - коллектор (Ic) (Макс)
    100mA

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15

Amazon увеличивает усилия по созда...

2024/11/14

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Южная Корея планирует ввести За...

2024/11/13
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с RN1601(TE85L,F).
RN1673(TE85L,F)

RN1673(TE85L,F)

Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
RN1605TE85LF

RN1605TE85LF

Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
RN152-10-02-1M8

RN152-10-02-1M8

Описание: CMC 1.8MH 10A 2LN TH

Производители: Schaffner EMC, Inc.
Быть в наличии
RFQ
RN152-2-02

RN152-2-02

Описание: COMMON MODE CHOKE 18MH 2A 2LN TH

Производители: Schaffner EMC, Inc.
Быть в наличии
RFQ
RN1608(TE85L,F)

RN1608(TE85L,F)

Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
RN152-6-02

RN152-6-02

Описание: CMC 3.9MH 6A 2LN TH

Производители: Schaffner EMC, Inc.
Быть в наличии
RFQ
RN152-4-02-6M8

RN152-4-02-6M8

Описание: CMC 6.8MH 4A 2LN TH

Производители: Schaffner EMC, Inc.
Быть в наличии
RFQ
RN1609(TE85L,F)

RN1609(TE85L,F)

Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
RN1604(TE85L,F)

RN1604(TE85L,F)

Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
RN1602(TE85L,F)

RN1602(TE85L,F)

Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
RN152-6-02-3M9

RN152-6-02-3M9

Описание: CMC 3.9MH 6A 2LN TH

Производители: Schaffner EMC, Inc.
Быть в наличии
RFQ
RN1611(TE85L,F)

RN1611(TE85L,F)

Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
RN152-8-02

RN152-8-02

Описание: CMC 2.7MH 8A 2LN TH

Производители: Schaffner EMC, Inc.
Быть в наличии
RFQ
RN152GT2R

RN152GT2R

Описание: DIODE PIN SWITCH 30V VMD2

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
RN1606(TE85L,F)

RN1606(TE85L,F)

Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
RN1607(TE85L,F)

RN1607(TE85L,F)

Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
RN1610(TE85L,F)

RN1610(TE85L,F)

Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
RN152-4-02

RN152-4-02

Описание: CMC 6.8MH 4A 2LN TH

Производители: Schaffner EMC, Inc.
Быть в наличии
RFQ
RN152-2-02-18M

RN152-2-02-18M

Описание: CMC 18MH 2A 2LN TH

Производители: Schaffner EMC, Inc.
Быть в наличии
RFQ
RN152-8-02-2M7

RN152-8-02-2M7

Описание: CMC 2.7MH 8A 2LN TH

Производители: Schaffner EMC, Inc.
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.