Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярный (БЮТ) - массивы, заранее > RN1964FE(TE85L,F)
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
5132190RN1964FE(TE85L,F) Image.Toshiba Semiconductor and Storage

RN1964FE(TE85L,F)

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
4000+
$0.07
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    RN1964FE(TE85L,F)
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)
    50V
  • Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Тип транзистор
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Поставщик Упаковка устройства
    ES6
  • Серии
    -
  • Резистор - основание эмиттера (R2)
    47 kOhms
  • Резистор - основание (R1)
    47 kOhms
  • Мощность - Макс
    100mW
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    SOT-563, SOT-666
  • Другие названия
    RN1964FE(TE85LF)TR
    RN1964FETE85LF
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Частота - Переход
    250MHz
  • Подробное описание
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
  • DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    80 @ 10mA, 5V
  • Ток - Коллектор Граничная (Макс)
    100nA (ICBO)
  • Ток - коллектор (Ic) (Макс)
    100mA
RN1961(TE85L,F)

RN1961(TE85L,F)

Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1967FE(TE85L,F)

RN1967FE(TE85L,F)

Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1963(TE85L,F)

RN1963(TE85L,F)

Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1963FE(TE85L,F)

RN1963FE(TE85L,F)

Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1964TE85LF

RN1964TE85LF

Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1970(TE85L,F)

RN1970(TE85L,F)

Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1911(T5L,F,T)

RN1911(T5L,F,T)

Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1970FE(TE85L,F)

RN1970FE(TE85L,F)

Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1910FE(T5L,F,T)

RN1910FE(T5L,F,T)

Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1969FE(TE85L,F)

RN1969FE(TE85L,F)

Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1911FETE85LF

RN1911FETE85LF

Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1910FE,LF(CT

RN1910FE,LF(CT

Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1961FE(TE85L,F)

RN1961FE(TE85L,F)

Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1966FE(TE85L,F)

RN1966FE(TE85L,F)

Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1965(TE85L,F)

RN1965(TE85L,F)

Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1962TE85LF

RN1962TE85LF

Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W US6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1968FE(TE85L,F)

RN1968FE(TE85L,F)

Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1962FE(TE85L,F)

RN1962FE(TE85L,F)

Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1965FE(TE85L,F)

RN1965FE(TE85L,F)

Описание: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1968(TE85L,F)

RN1968(TE85L,F)

Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти