Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярный (БЮТ) - сингл, заранее пр > RN2302,LF
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
1450082

RN2302,LF

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
5+
$0.058
50+
$0.057
150+
$0.056
500+
$0.055
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    RN2302,LF
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Модель ECAD
  • Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)
    50V
  • Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Тип транзистор
    PNP - Pre-Biased
  • Поставщик Упаковка устройства
    USM
  • Серии
    -
  • Резистор - основание эмиттера (R2)
    10 kOhms
  • Резистор - основание (R1)
    10 kOhms
  • Мощность - Макс
    100mW
  • Упаковка /
    SC-70, SOT-323
  • Другие названия
    RN2302LF
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Стандартное время изготовления
    16 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Частота - Переход
    200MHz
  • Подробное описание
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount USM
  • DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    50 @ 10mA, 5V
  • Ток - Коллектор Граничная (Макс)
    500nA
  • Ток - коллектор (Ic) (Макс)
    100mA
RN222-4-02-3M3

RN222-4-02-3M3

Описание: CMC 3.3MH 4A 2LN TH

Производители: Schaffner EMC, Inc.
Быть в наличии
RN222-2.5-02-5M6

RN222-2.5-02-5M6

Описание: CMC 5.6MH 2.5A 2LN TH

Производители: Schaffner EMC, Inc.
Быть в наличии
RN2301,LF

RN2301,LF

Описание: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN222-2-02

RN222-2-02

Описание: CMC 6.8MH 2A 2LN TH

Производители: Schaffner EMC, Inc.
Быть в наличии
RN2307(TE85L,F)

RN2307(TE85L,F)

Описание: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN2310(TE85L,F)

RN2310(TE85L,F)

Описание: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN222-2.5-02

RN222-2.5-02

Описание: CMC 5.6MH 2.5A 2LN TH

Производители: Schaffner EMC, Inc.
Быть в наличии
RN222-3-02

RN222-3-02

Описание: CMC 4.5MH 3A 2LN TH

Производители: Schaffner EMC, Inc.
Быть в наличии
RN2308(TE85L,F)

RN2308(TE85L,F)

Описание: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN2303(TE85L,F)

RN2303(TE85L,F)

Описание: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN2309(TE85L,F)

RN2309(TE85L,F)

Описание: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN2305(TE85L,F)

RN2305(TE85L,F)

Описание: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN222-1.5-02-10M

RN222-1.5-02-10M

Описание: CMC 10MH 1.5A 2LN TH

Производители: Schaffner EMC, Inc.
Быть в наличии
RN2304(TE85L,F)

RN2304(TE85L,F)

Описание: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN2306,LF

RN2306,LF

Описание: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN222-2-02-6M8

RN222-2-02-6M8

Описание: CMC 6.8MH 2A 2LN TH

Производители: Schaffner EMC, Inc.
Быть в наличии
RN222-3-02-4M5

RN222-3-02-4M5

Описание: CMC 4.5MH 3A 2LN TH

Производители: Schaffner EMC, Inc.
Быть в наличии
RN2310,LF

RN2310,LF

Описание: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN2311(TE85L,F)

RN2311(TE85L,F)

Описание: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN222-4-02

RN222-4-02

Описание: CMC 3.3MH 4A 2LN TH

Производители: Schaffner EMC, Inc.
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти