Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярный (БЮТ) - сингл, заранее пр > RN2312(TE85L,F)
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
866192RN2312(TE85L,F) Image.Toshiba Semiconductor and Storage

RN2312(TE85L,F)

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
3000+
$0.048
6000+
$0.042
15000+
$0.036
30000+
$0.034
75000+
$0.032
150000+
$0.028
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    RN2312(TE85L,F)
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)
    50V
  • Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Тип транзистор
    PNP - Pre-Biased
  • Поставщик Упаковка устройства
    USM
  • Серии
    -
  • Резистор - основание (R1)
    22 kOhms
  • Мощность - Макс
    100mW
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    SC-70, SOT-323
  • Другие названия
    RN2312(TE85LF)
    RN2312(TE85LF)-ND
    RN2312(TE85LF)TR
    RN2312TE85LF
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    16 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Частота - Переход
    200MHz
  • Подробное описание
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount USM
  • DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    120 @ 1mA, 5V
  • Ток - Коллектор Граничная (Макс)
    100nA (ICBO)
  • Ток - коллектор (Ic) (Макс)
    100mA
  • Номер базового номера
    RN231*
RN2303(TE85L,F)

RN2303(TE85L,F)

Описание: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN2306,LF

RN2306,LF

Описание: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN232-0.6-02-47M

RN232-0.6-02-47M

Описание: CMC 47MH 600MA 2LN TH

Производители: Schaffner EMC, Inc.
Быть в наличии
RN2314(TE85L,F)

RN2314(TE85L,F)

Описание: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN2309(TE85L,F)

RN2309(TE85L,F)

Описание: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN232-1-02-18M

RN232-1-02-18M

Описание: CMC 18MH 1A 2LN TH

Производители: Schaffner EMC, Inc.
Быть в наличии
RN232-0.6-02

RN232-0.6-02

Описание: COMMON MODE CHOKE 47MH 600MA

Производители: Schaffner EMC, Inc.
Быть в наличии
RN2310(TE85L,F)

RN2310(TE85L,F)

Описание: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN2307(TE85L,F)

RN2307(TE85L,F)

Описание: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN2304(TE85L,F)

RN2304(TE85L,F)

Описание: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN232-1-02

RN232-1-02

Описание: COMMON MODE CHOKE 18MH 1A

Производители: Schaffner EMC, Inc.
Быть в наличии
RN2317(TE85L,F)

RN2317(TE85L,F)

Описание: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN2315TE85LF

RN2315TE85LF

Описание: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SC-70

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN2310,LF

RN2310,LF

Описание: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN2316(TE85L,F)

RN2316(TE85L,F)

Описание: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN2308(TE85L,F)

RN2308(TE85L,F)

Описание: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN2311(TE85L,F)

RN2311(TE85L,F)

Описание: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN2305(TE85L,F)

RN2305(TE85L,F)

Описание: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN2318(TE85L,F)

RN2318(TE85L,F)

Описание: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN2313(TE85L,F)

RN2313(TE85L,F)

Описание: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти