Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > TK39N60W,S1VF
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
3776645TK39N60W,S1VF Image.Toshiba Semiconductor and Storage

TK39N60W,S1VF

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$11.96
30+
$9.807
120+
$8.85
510+
$7.415
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    TK39N60W,S1VF
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N CH 600V 38.8A TO247
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    3.7V @ 1.9mA
  • Vgs (макс.)
    ±30V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    TO-247
  • Серии
    DTMOSIV
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    65 mOhm @ 19.4A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    270W (Tc)
  • упаковка
    Tube
  • Упаковка /
    TO-247-3
  • Другие названия
    TK39N60W,S1VF(S
    TK39N60WS1VF
  • Рабочая Температура
    150°C (TJ)
  • Тип установки
    Through Hole
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    4100pF @ 300V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    110nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    Super Junction
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    600V
  • Подробное описание
    N-Channel 600V 38.8A (Ta) 270W (Tc) Through Hole TO-247
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    38.8A (Ta)
TK3R1E04PL,S1X

TK3R1E04PL,S1X

Описание: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
TK39J60W,S1VQ

TK39J60W,S1VQ

Описание: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-3P

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
TK39N60X,S1F

TK39N60X,S1F

Описание: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-247

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
TK39A60W,S4VX

TK39A60W,S4VX

Описание: MOSFET N-CH 600V 39A TO220-3

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
TK380P65Y,RQ

TK380P65Y,RQ

Описание: MOSFET N-CHANNEL 650V 9.7A DPAK

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
TK380A60Y,S4X

TK380A60Y,S4X

Описание: MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
TK3A65DA(STA4,QM)

TK3A65DA(STA4,QM)

Описание: MOSFET N-CH 650V 2.5A TO-220SIS

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
TK35N65W,S1F

TK35N65W,S1F

Описание: MOSFET N-CH 650V 35A TO-247

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
TK3R1P04PL,RQ

TK3R1P04PL,RQ

Описание: MOSFET N-CHANNEL 40V 58A DPAK

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
TK380P60Y,RQ

TK380P60Y,RQ

Описание: MOSFET N-CHANNEL 600V 9.7A DPAK

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
TK3R1A04PL,S4X

TK3R1A04PL,S4X

Описание: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
TK35S04K3L(T6L1,NQ

TK35S04K3L(T6L1,NQ

Описание: MOSFET N-CH 40V 35A DPAK-3

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
TK35E10K3(S1SS-Q)

TK35E10K3(S1SS-Q)

Описание: MOSFET N-CH 100V 35A TO-220AB

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
TK39N60W5,S1VF

TK39N60W5,S1VF

Описание: MOSFET N-CH 600V 38.8A T0247

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
TK39J60W5,S1VQ

TK39J60W5,S1VQ

Описание: MOSFET N CH 600V 38.8A TO-3P(N)

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
TK3A60DA(Q,M)

TK3A60DA(Q,M)

Описание: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
TK3P50D,RQ(S

TK3P50D,RQ(S

Описание: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK-3

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
TK3A60DA(STA4,Q,M)

TK3A60DA(STA4,Q,M)

Описание: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
TK3A65D(STA4,Q,M)

TK3A65D(STA4,Q,M)

Описание: MOSFET N-CH 650V 3A TO-220SIS

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
TK35N65W5,S1F

TK35N65W5,S1F

Описание: MOSFET N-CH 650V 35A TO-247

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти