Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > TPN4R712MD,L1Q
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
905291TPN4R712MD,L1Q Image.Toshiba Semiconductor and Storage

TPN4R712MD,L1Q

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
5000+
$0.303
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    TPN4R712MD,L1Q
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    1.2V @ 1mA
  • Vgs (макс.)
    ±12V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    8-TSON Advance (3.3x3.3)
  • Серии
    U-MOSVI
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.7 mOhm @ 18A, 4.5V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    42W (Tc)
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    8-PowerVDFN
  • Другие названия
    TPN4R712MD,L1Q(M
    TPN4R712MDL1QTR
  • Рабочая Температура
    150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    4300pF @ 10V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    65nC @ 5V
  • Тип FET
    P-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    20V
  • Подробное описание
    P-Channel 20V 36A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    36A (Tc)
TPN30008NH,LQ

TPN30008NH,LQ

Описание: MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
TPN3300ANH,LQ

TPN3300ANH,LQ

Описание: MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
TPN22006NH,LQ

TPN22006NH,LQ

Описание: MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
TPN3R704PL,L1Q

TPN3R704PL,L1Q

Описание: MOSFET N-CH 40V 80A TSON

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
TPN2R304PL,L1Q

TPN2R304PL,L1Q

Описание: MOSFET N-CH 40V 80A TSON

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
TPN4R203NC,L1Q

TPN4R203NC,L1Q

Описание: MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
TPN3021

TPN3021

Описание: OVP TRIPOLAR NETWORK 28V 8-SOIC

Производители: STMicroelectronics
Быть в наличии
TPN5900CNH,L1Q

TPN5900CNH,L1Q

Описание: MOSFET N-CH 150V 9A 8TSON

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
TPN3021RL

TPN3021RL

Описание: THYRISTOR 28V 100A 8SOIC

Производители: STMicroelectronics
Быть в наличии
TPN7R506NH,L1Q

TPN7R506NH,L1Q

Описание: MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
TPN2R703NL,L1Q

TPN2R703NL,L1Q

Описание: MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
TPN8R903NL,LQ

TPN8R903NL,LQ

Описание: MOSFET N-CH 30V 20A TSON

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
TPN2R503NC,L1Q

TPN2R503NC,L1Q

Описание: MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
TPN2R203NC,L1Q

TPN2R203NC,L1Q

Описание: MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
TPN4R303NL,L1Q

TPN4R303NL,L1Q

Описание: MOSFET N-CH 30V 63A 8TSON

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
TPN1R603PL,L1Q

TPN1R603PL,L1Q

Описание: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
TPN6R303NC,LQ

TPN6R303NC,LQ

Описание: MOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADV

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
TPN6R003NL,LQ

TPN6R003NL,LQ

Описание: MOSFET N CH 30V 27A 8TSON-ADV

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
TPN2010FNH,L1Q

TPN2010FNH,L1Q

Описание: MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
TPN2R805PL,L1Q

TPN2R805PL,L1Q

Описание: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти