Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > SIHB22N60S-E3
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
6337560SIHB22N60S-E3 Image.Vishay Siliconix

SIHB22N60S-E3

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    SIHB22N60S-E3
  • Изготовитель / Производитель
    Vishay / Siliconix
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    SIHB22N60S-E3.pdf
  • Напряжение - испытания
    2810pF @ 25V
  • Напряжение - Разбивка
    TO-263 (D²Pak)
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    190 mOhm @ 11A, 10V
  • Vgs (макс.)
    10V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Серии
    -
  • Статус RoHS
    Tape & Reel (TR)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    22A (Tc)
  • поляризация
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Другие названия
    SIHB22N60S-E3TR
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень влажности (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Номер детали производителя
    SIHB22N60S-E3
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    110nC @ 10V
  • Тип IGBT
    ±30V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    4V @ 250µA
  • FET Характеристика
    N-Channel
  • Расширенное описание
    N-Channel 600V 22A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    -
  • Описание
    MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    600V
  • Коэффициент емкости
    250W (Tc)

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15

Amazon увеличивает усилия по созда...

2024/11/14

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Южная Корея планирует ввести За...

2024/11/13
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с SIHB22N60S-E3.
SIHB24N65E-E3

SIHB24N65E-E3

Описание: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SIHB22N60AEL-GE3

SIHB22N60AEL-GE3

Описание: MOSFET N-CHAN 600V

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SIHB20N50E-GE3

SIHB20N50E-GE3

Описание: MOSFET N-CH 500V 19A TO-263

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SIHB24N65E-GE3

SIHB24N65E-GE3

Описание: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SIHB22N60AE-GE3

SIHB22N60AE-GE3

Описание: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SIHB24N65ET5-GE3

SIHB24N65ET5-GE3

Описание: MOSFET N-CH 650V 24A TO263

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SIHB22N60S-GE3

SIHB22N60S-GE3

Описание: MOSFET N-CH 650V TO263

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SIHB22N65E-GE3

SIHB22N65E-GE3

Описание: MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SIHB21N65EF-GE3

SIHB21N65EF-GE3

Описание: MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SIHB25N50E-GE3

SIHB25N50E-GE3

Описание: MOSFET N-CH 500V 26A TO263

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SIHB22N60EL-GE3

SIHB22N60EL-GE3

Описание: MOSFET N-CH 600V 21A TO263

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SIHB24N65EF-GE3

SIHB24N65EF-GE3

Описание: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SIHB22N60ET1-GE3

SIHB22N60ET1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 600V 21A TO263

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SIHB22N60E-E3

SIHB22N60E-E3

Описание: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SIHB24N65ET1-GE3

SIHB24N65ET1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 650V 24A TO263

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SIHB23N60E-GE3

SIHB23N60E-GE3

Описание: MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SIHB22N65E-GE3

SIHB22N65E-GE3

Описание: MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK

Производители: Vishay Siliconix
Быть в наличии
RFQ
SIHB21N60EF-GE3

SIHB21N60EF-GE3

Описание: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK TO263

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SIHB22N60ET5-GE3

SIHB22N60ET5-GE3

Описание: MOSFET N-CH 600V 21A TO263

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SIHB22N60E-GE3

SIHB22N60E-GE3

Описание: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.