Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > SQJ431EP-T1_GE3
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
6979674SQJ431EP-T1_GE3 Image.Vishay Siliconix

SQJ431EP-T1_GE3

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$1.85
10+
$1.662
25+
$1.568
100+
$1.336
250+
$1.255
500+
$1.098
1000+
$0.91
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    SQJ431EP-T1_GE3
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET P-CHAN 200V SO8L
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Модель ECAD
  • Напряжение - испытания
    4355pF @ 25V
  • Напряжение - Разбивка
    PowerPAK® SO-8
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    213 mOhm @ 1A, 4V
  • Vgs (макс.)
    6V, 10V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Серии
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • Статус RoHS
    Digi-Reel®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    12A (Tc)
  • поляризация
    PowerPAK® SO-8
  • Другие названия
    SQJ431EP-T1_GE3DKR
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень влажности (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    18 Weeks
  • Номер детали производителя
    SQJ431EP-T1_GE3
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    160nC @ 10V
  • Тип IGBT
    ±20V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    3.5V @ 250µA
  • FET Характеристика
    P-Channel
  • Расширенное описание
    P-Channel 200V 12A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    -
  • Описание
    MOSFET P-CHAN 200V SO8L
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    200V
  • Коэффициент емкости
    83W (Tc)
SQJ457EP-T1_GE3

SQJ457EP-T1_GE3

Описание: MOSFET P-CH 60V 36A POWERPAKSO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SQJ416EP-T1_GE3

SQJ416EP-T1_GE3

Описание: MOSFET N-CH 100V 27A POWERPAKSO

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SQJ454EP-T1_GE3

SQJ454EP-T1_GE3

Описание: MOSFET N-CH 200V 13A POWERPAKSO

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SQJ456EP-T1_GE3

SQJ456EP-T1_GE3

Описание: MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SQJ443EP-T1_GE3

SQJ443EP-T1_GE3

Описание: MOSFET P-CH 40V 40A POWERPAKSO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SQJ418EP-T1_GE3

SQJ418EP-T1_GE3

Описание: MOSFET N-CH 100V 48A POWERPAKSO

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SQJ414EP-T1_GE3

SQJ414EP-T1_GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 30A POWERPAKSOL

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SQJ423EP-T1_GE3

SQJ423EP-T1_GE3

Описание: MOSFET P-CH 40V 55A POWERPAKSO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SQJ460AEP-T1_GE3

SQJ460AEP-T1_GE3

Описание: MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SQJ431AEP-T1_GE3

SQJ431AEP-T1_GE3

Описание: MOSFET P-CHAN 200V

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SQJ444EP-T1_GE3

SQJ444EP-T1_GE3

Описание: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SQJ446EP-T1_GE3

SQJ446EP-T1_GE3

Описание: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SQJ411EP-T1_GE3

SQJ411EP-T1_GE3

Описание: MOSFET P-CH 12V 60A POWERPAKSO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SQJ422EP-T1_GE3

SQJ422EP-T1_GE3

Описание: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SQJ415EP-T1_GE3

SQJ415EP-T1_GE3

Описание: MOSFET P-CHAN 40V POWERPAK SO-8L

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SQJ420EP-T1_GE3

SQJ420EP-T1_GE3

Описание: MOSFET N-CH 40V 30A POWERPAKSOL

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SQJ412EP-T1_GE3

SQJ412EP-T1_GE3

Описание: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SQJ461EP-T1_GE3

SQJ461EP-T1_GE3

Описание: MOSFET P-CH 60V 30A

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SQJ459EP-T1_GE3

SQJ459EP-T1_GE3

Описание: MOSFET P-CH 60V 52A POWERPAKSO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SQJ433EP-T1_GE3

SQJ433EP-T1_GE3

Описание: MOSFET P-CH 30V 75A POWERPAKSO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти