Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Интегральные схемы (ICs) > Память > W987D6HBGX7E TR
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
155609W987D6HBGX7E TR Image.Winbond Electronics Corporation

W987D6HBGX7E TR

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
2500+
$2.394
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    W987D6HBGX7E TR
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Время цикла записи - слово, страница
    15ns
  • Напряжение тока - поставка
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Технологии
    SDRAM - Mobile LPSDR
  • Поставщик Упаковка устройства
    54-VFBGA (8x9)
  • Серии
    -
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    54-TFBGA
  • Другие названия
    W987D6HBGX7E TR-ND
    W987D6HBGX7ETR
  • Рабочая Температура
    -25°C ~ 85°C (TC)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Тип памяти
    Volatile
  • Размер памяти
    128Mb (8M x 16)
  • Интерфейс памяти
    Parallel
  • Формат памяти
    DRAM
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Подробное описание
    SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 133MHz 5.4ns 54-VFBGA (8x9)
  • Тактовая частота
    133MHz
  • Время доступа
    5.4ns
W987D6HBGX6I

W987D6HBGX6I

Описание: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Производители: Winbond Electronics Corporation
Быть в наличии
W988D2FBJX6I TR

W988D2FBJX6I TR

Описание: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Производители: Winbond Electronics Corporation
Быть в наличии
W988D6FBGX6I TR

W988D6FBGX6I TR

Описание: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Производители: Winbond Electronics Corporation
Быть в наличии
W987D2HBJX7E

W987D2HBJX7E

Описание: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Производители: Winbond Electronics Corporation
Быть в наличии
W987D2HBJX6I TR

W987D2HBJX6I TR

Описание: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Производители: Winbond Electronics Corporation
Быть в наличии
W987D6HBGX6E

W987D6HBGX6E

Описание: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Производители: Winbond Electronics Corporation
Быть в наличии
W987D6HBGX6I TR

W987D6HBGX6I TR

Описание: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Производители: Winbond Electronics Corporation
Быть в наличии
W987D2HBJX6E TR

W987D2HBJX6E TR

Описание: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Производители: Winbond Electronics Corporation
Быть в наличии
W988D6FBGX6I

W988D6FBGX6I

Описание: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Производители: Winbond Electronics Corporation
Быть в наличии
W988D2FBJX7E TR

W988D2FBJX7E TR

Описание: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Производители: Winbond Electronics Corporation
Быть в наличии
W988D6FBGX6E

W988D6FBGX6E

Описание: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Производители: Winbond Electronics Corporation
Быть в наличии
W988D2FBJX7E

W988D2FBJX7E

Описание: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Производители: Winbond Electronics Corporation
Быть в наличии
W988D2FBJX6E TR

W988D2FBJX6E TR

Описание: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Производители: Winbond Electronics Corporation
Быть в наличии
W987D6HBGX6E TR

W987D6HBGX6E TR

Описание: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Производители: Winbond Electronics Corporation
Быть в наличии
W987D6HBGX7E

W987D6HBGX7E

Описание: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Производители: Winbond Electronics Corporation
Быть в наличии
W988D2FBJX6I

W988D2FBJX6I

Описание: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Производители: Winbond Electronics Corporation
Быть в наличии
W987D2HBJX7E TR

W987D2HBJX7E TR

Описание: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Производители: Winbond Electronics Corporation
Быть в наличии
W988D2FBJX6E

W988D2FBJX6E

Описание: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Производители: Winbond Electronics Corporation
Быть в наличии
W987D2HBJX6I

W987D2HBJX6I

Описание: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Производители: Winbond Electronics Corporation
Быть в наличии
W988D6FBGX6E TR

W988D6FBGX6E TR

Описание: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Производители: Winbond Electronics Corporation
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти