Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз
RFQs/ORDER (0)
русский
RFQs/ORDER (0)
3,611 Results
| Часть # | производитель | Описание | Цена | Количество | Доступность |
|---|---|---|---|---|---|
|
International Rectifier (Infineon Technologies) | MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC | - | Быть в наличии | |
|
Electro-Films (EFI) / Vishay | MOSFET 2P-CH 20V 3A 1206-8 | - | Быть в наличии | |
|
|
International Rectifier (Infineon Technologies) | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC | 0.45 | Быть в наличии | |
|
International Rectifier (Infineon Technologies) | 0.671 | Быть в наличии | ||
|
Infineon Technologies AG | 0.064 | Быть в наличии | ||
|
|
Diodes Incorporated | 0.516 | Быть в наличии | ||
|
Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 20V 1.03A SOT563 | 0.123 | Быть в наличии | |
|
International Rectifier (Infineon Technologies) | MOSFET 2N-CH 8TDSON | 0.483 | Быть в наличии | |
|
AMI Semiconductor / ON Semiconductor | MOSFET 2 N-CH 30V 9.1A 6UDFN | 0.25 | Быть в наличии | |
|
|
International Rectifier (Infineon Technologies) | MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8SOIC | - | Быть в наличии | |
|
TSC (Taiwan Semiconductor) | MOSFET N/P-CH 20V 11.6A/9A 6TDFN | 0.173 | Быть в наличии | |
|
AMI Semiconductor / ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SO | 0.451 | Быть в наличии | |
|
EPC | TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID | 6.303 | Быть в наличии | |
|
AMI Semiconductor / ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 8V 3A CHIPFET | - | Быть в наличии | |
|
Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | MOSFET 2P-CH 12V 9A 8SOIC | - | Быть в наличии | |
|
Advanced Linear Devices, Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC | 3.053 | Быть в наличии | |
|
Electro-Films (EFI) / Vishay | MOSFET 2N-CH 20V 8TSSOP | - | Быть в наличии | |
|
EPC | TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE | 10.625 | Быть в наличии | |
|
Electro-Films (EFI) / Vishay | MOSFET 2N-CH 20V 7.3A 14SO | - | Быть в наличии | |
|
|
Electro-Films (EFI) / Vishay | MOSFET 2N-CH 30V 4A 8-TSSOP | - | Быть в наличии | |
|
LAPIS Semiconductor | 0.159 | Быть в наличии | ||
|
Central Semiconductor | MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563 | 0.318 | Быть в наличии | |
|
LAPIS Semiconductor | 0.138 | Быть в наличии | ||
|
Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030 | 0.261 | Быть в наличии | |
|
Microsemi | MOSFET 4N-CH 200V 89A SP4 | 94.38 | Быть в наличии | |
|
Sanken Electric Co., Ltd. | MOSFET 3N/3P-CH 60V 10A 12-SIP | 3.686 | Быть в наличии | |
|
|
Electro-Films (EFI) / Vishay | MOSFET 2N-CH 40V 5A 8-SOIC | - | Быть в наличии | |
|
|
Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | 0.112 | Быть в наличии | ||
|
Diodes Incorporated | 0.126 | Быть в наличии | ||
|
AMI Semiconductor / ON Semiconductor | 2.028 | Быть в наличии | ||
|
|
Electro-Films (EFI) / Vishay | MOSFET 2P-CH 8V 8TSSOP | - | Быть в наличии | |
|
IXYS Corporation | MOSFET 6N-CH 150V 50A 24-SMD | 19.142 | Быть в наличии | |
|
|
Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC | 0.859 | Быть в наличии | |
|
AMI Semiconductor / ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8MLP | 0.569 | Быть в наличии | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 30V 3.8A 8-SOIC | - | Быть в наличии | |
|
Electro-Films (EFI) / Vishay | MOSFET 2N-CH 30V SC89-6 | 0.095 | Быть в наличии | |
|
|
Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 7.6A 8-SOIC | - | Быть в наличии | |
|
|
Diodes Incorporated | 0.081 | Быть в наличии | ||
|
|
Central Semiconductor | MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563 | 0.225 | Быть в наличии | |
|
|
Electro-Films (EFI) / Vishay | MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC | 0.854 | Быть в наличии | |
|
Electro-Films (EFI) / Vishay | MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP | 0.451 | Быть в наличии | |
|
Nexperia | MOSFET 2N-CH 60V 30A 56LFPAK | 0.697 | Быть в наличии | |
|
International Rectifier (Infineon Technologies) | MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6TSOP | 0.223 | Быть в наличии | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFETDUAL N-CHAN 30VSO-8 | 0.666 | Быть в наличии | |
|
Nexperia | 0.033 | Быть в наличии | ||
|
AMI Semiconductor / ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 12A/22A POWER56 | 1.25 | Быть в наличии | |
|
AMI Semiconductor / ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6 | 0.288 | Быть в наличии | |
|
|
IXYS Corporation | MOSFET 6N-CH 75V 270A V2-PAK | 122.47 | Быть в наличии | |
|
Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2P-CH 30V 0.1A ES6 | 0.101 | Быть в наличии | |
|
Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 60V/50V SC70-6 | - | Быть в наличии |
| Часть # | производитель | Описание | Цена | Количество | Доступность |
|---|
| Часть # | производитель | Описание | Цена | Количество | Доступность |
|---|