Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > FDB016N04AL7
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
3231484FDB016N04AL7 Image.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDB016N04AL7

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
800+
$2.76
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    FDB016N04AL7
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    D²PAK (TO-263)
  • Серии
    PowerTrench®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.6 mOhm @ 80A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    283W (Tc)
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
  • Другие названия
    FDB016N04AL7-ND
    FDB016N04AL7TR
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    39 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    11600pF @ 25V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    167nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    40V
  • Подробное описание
    N-Channel 40V 160A (Tc) 283W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    160A (Tc)
FDB-GP

FDB-GP

Описание: CONN GUIDE PLATE

Производители: Hirose
Быть в наличии
FDB0170N607L

FDB0170N607L

Описание: MOSFET N-CH 60V 300A D2PAK

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
FDB-1053-10BK-EL

FDB-1053-10BK-EL

Описание: 100G CFP2 BREAKOUT/LOOPBACK BRD

Производители: Finisar Corporation
Быть в наличии
FDB-1048

FDB-1048

Описание: WAVELENGTH TUNING BOX

Производители: Finisar Corporation
Быть в наличии
FDB024N06

FDB024N06

Описание: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
FDB0165N807L

FDB0165N807L

Описание: MOSFET N-CH 80V 310A TO263

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
FDB0250N807L

FDB0250N807L

Описание: MOSFET N-CH 80V 240A D2PAK

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
FDB024N04AL7

FDB024N04AL7

Описание: MOSFET N-CH 40V D2PAK-7

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
FDB0260N1007L

FDB0260N1007L

Описание: MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
FDB0190N807L

FDB0190N807L

Описание: MOSFET N-CH 80V 270A D2PAK

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
FDB0300N1007L

FDB0300N1007L

Описание: MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
FDB-S

FDB-S

Описание: CONN PRESSURE BLOOK FOR SKT

Производители: Hirose
Быть в наличии
FDB031N08

FDB031N08

Описание: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
FDB-1054-4BK

FDB-1054-4BK

Описание: 100G CFP4 BREAKOUT BRD W/O CBL

Производители: Finisar Corporation
Быть в наличии
FDB024N08BL7

FDB024N08BL7

Описание: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK7

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
FDB0105N407L

FDB0105N407L

Описание: MOSFET N-CH 40V 460A

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
FDB-1051

FDB-1051

Описание: EVAL BOARD FOR QSFP

Производители: Finisar Corporation
Быть в наличии
FDB029N06

FDB029N06

Описание: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
FDB-1052

FDB-1052

Описание: EVAL BRD TUNABLE SFP+.

Производители: Finisar Corporation
Быть в наличии
FDB-P

FDB-P

Описание: CONN PRESSURE BLOOK FOR PLUG

Производители: Hirose
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти