Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > FDB0260N1007L
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
4690532FDB0260N1007L Image.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDB0260N1007L

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
800+
$4.087
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    FDB0260N1007L
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    D²PAK (TO-263)
  • Серии
    PowerTrench®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.6 mOhm @ 27A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    3.8W (Ta), 250W (Tc)
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
  • Другие названия
    FDB0260N1007LTR
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    39 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    8545pF @ 50V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    118nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    100V
  • Подробное описание
    N-Channel 100V 200A (Tc) 3.8W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    200A (Tc)
FDB029N06

FDB029N06

Описание: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
FDB0105N407L

FDB0105N407L

Описание: MOSFET N-CH 40V 460A

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
FDB024N04AL7

FDB024N04AL7

Описание: MOSFET N-CH 40V D2PAK-7

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
FDB045AN08A0-F085

FDB045AN08A0-F085

Описание: MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
FDB0190N807L

FDB0190N807L

Описание: MOSFET N-CH 80V 270A D2PAK

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
FDB039N06

FDB039N06

Описание: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
FDB0250N807L

FDB0250N807L

Описание: MOSFET N-CH 80V 240A D2PAK

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
FDB0300N1007L

FDB0300N1007L

Описание: MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
FDB035AN06A0-F085

FDB035AN06A0-F085

Описание: MOSFET N-CH 60V 22A TO-263AB

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
FDB045AN08A0

FDB045AN08A0

Описание: MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
FDB024N06

FDB024N06

Описание: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
FDB024N08BL7

FDB024N08BL7

Описание: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK7

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
FDB035N10A

FDB035N10A

Описание: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
FDB035AN06A0

FDB035AN06A0

Описание: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
FDB0165N807L

FDB0165N807L

Описание: MOSFET N-CH 80V 310A TO263

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
FDB047N10

FDB047N10

Описание: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
FDB016N04AL7

FDB016N04AL7

Описание: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
FDB0170N607L

FDB0170N607L

Описание: MOSFET N-CH 60V 300A D2PAK

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
FDB031N08

FDB031N08

Описание: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
FDB-S

FDB-S

Описание: CONN PRESSURE BLOOK FOR SKT

Производители: Hirose
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти