Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярный (БЮТ) - сингл > MJD112TF
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
1694013MJD112TF Image.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MJD112TF

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
2000+
$0.248
6000+
$0.231
10000+
$0.228
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    MJD112TF
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Модель ECAD
  • Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)
    100V
  • Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic
    3V @ 40mA, 4A
  • Тип транзистор
    NPN - Darlington
  • Поставщик Упаковка устройства
    D-Pak
  • Серии
    -
  • Мощность - Макс
    1.75W
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Другие названия
    MJD112TF-ND
    MJD112TFTR
  • Рабочая Температура
    150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    12 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Частота - Переход
    25MHz
  • Подробное описание
    Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 2A 25MHz 1.75W Surface Mount D-Pak
  • DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    1000 @ 2A, 3V
  • Ток - Коллектор Граничная (Макс)
    20µA
  • Ток - коллектор (Ic) (Макс)
    2A
  • Номер базового номера
    MJD112
MJD112-TP

MJD112-TP

Описание: TRANS NPN 100V 2A DPAK

Производители: Micro Commercial Components (MCC)
Быть в наличии
MJD112RLG

MJD112RLG

Описание: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
MJD117RLG

MJD117RLG

Описание: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
MJD112T4G

MJD112T4G

Описание:

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
MJD122-1

MJD122-1

Описание:

Производители: STMicroelectronics
Быть в наличии
MJD117TF

MJD117TF

Описание: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
MJD112-001

MJD112-001

Описание: TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
MJD112G

MJD112G

Описание: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
MJD117T4

MJD117T4

Описание:

Производители: STMicroelectronics
Быть в наличии
MJD117-001

MJD117-001

Описание: TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
MJD117-1G

MJD117-1G

Описание: TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
MJD117T4

MJD117T4

Описание: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
MJD112T4

MJD112T4

Описание: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

Производители: STMicroelectronics
Быть в наличии
MJD122-TP

MJD122-TP

Описание: TRANS NPN 100V 8A DPAK

Производители: Micro Commercial Components (MCC)
Быть в наличии
MJD112T4

MJD112T4

Описание: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
MJD117G

MJD117G

Описание:

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
MJD117T4G

MJD117T4G

Описание: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
MJD112-1G

MJD112-1G

Описание:

Производители: ONSEMI
Быть в наличии
MJD117

MJD117

Описание:

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
MJD112RL

MJD112RL

Описание: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти