MJD122-1

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

$0.95

10+

$0.832

100+

$0.638

500+

$0.504

1000+

$0.403

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

MJD122-1
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

TRANS NPN DARL 100V 8A TO251
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

MJD122-1.pdf
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)

100V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic

4V @ 80mA, 8A
Тип транзистор

NPN - Darlington
Поставщик Упаковка устройства

TO-251-3
Серии

-
Мощность - Макс

20W
упаковка

Bulk
Упаковка /

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Другие названия

497-16183
MJD122-1-ND
Рабочая Температура

150°C (TJ)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Частота - Переход

-
Подробное описание

Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 8A 20W Through Hole TO-251-3
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce

1000 @ 4A, 4V
Ток - Коллектор Граничная (Макс)

10µA
Ток - коллектор (Ic) (Макс)

8A
Номер базового номера

MJD122

Ниже приведены продукты, связанные с MJD122-1.

MJD127G

Описание: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

MJD122-1

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык