Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярный (БЮТ) - сингл, заранее пр > NSB9435T1G
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
3550703NSB9435T1G Image.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSB9435T1G

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
2000+
$0.234
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    NSB9435T1G
  • Изготовитель / Производитель
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    TRANS PREBIAS PNP 0.72W SOT223
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    NSB9435T1G.pdf
  • Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)
    30V
  • Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic
    550mV @ 300mA, 3A
  • Тип транзистор
    PNP - Pre-Biased
  • Поставщик Упаковка устройства
    SOT-223
  • Серии
    -
  • Резистор - основание (R1)
    10 kOhms
  • Мощность - Макс
    720mW
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    TO-261-4, TO-261AA
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    6 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Частота - Переход
    110MHz
  • Подробное описание
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 30V 3A 110MHz 720mW Surface Mount SOT-223
  • DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    125 @ 800mA, 1V
  • Ток - Коллектор Граничная (Макс)
    -
  • Ток - коллектор (Ic) (Макс)
    3A

Антропик получает еще 4 миллиард...

2024/11/23

Полу: продажи IC увеличиваются на...

2024/11/22

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15

Amazon увеличивает усилия по созда...

2024/11/14

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

2024/11/13
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с NSB9435T1G.
NSBA113EDXV6T1

NSBA113EDXV6T1

Описание: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
NSB8MTHE3/81

NSB8MTHE3/81

Описание: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
NSB8MT-E3/45

NSB8MT-E3/45

Описание: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
NSBA113EF3T5G

NSBA113EF3T5G

Описание: TRANS PREBIAS DUAL PNP

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
NSB8MTHE3_A/I

NSB8MTHE3_A/I

Описание: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
NSBA114EF3T5G

NSBA114EF3T5G

Описание: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
NSBA114EDXV6T5G

NSBA114EDXV6T5G

Описание: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
NSB8KTHE3/81

NSB8KTHE3/81

Описание: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
NSB8MTHE3/45

NSB8MTHE3/45

Описание: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
NSB8KTHE3_A/I

NSB8KTHE3_A/I

Описание: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
NSB8MTHE3_A/P

NSB8MTHE3_A/P

Описание: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
NSB9703

NSB9703

Описание: COMMON POINT GND CORD 10MM 10'

Производители: Desco
Быть в наличии
RFQ
NSBA113EDXV6T1G

NSBA113EDXV6T1G

Описание: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT563

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
NSBA114EDP6T5G

NSBA114EDP6T5G

Описание: TRANS 2PNP PREBIAS 0.338W SOT963

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
NSBA114EDXV6T1G

NSBA114EDXV6T1G

Описание: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
NSB8KTHE3/45

NSB8KTHE3/45

Описание: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
NSBA114TDP6T5G

NSBA114TDP6T5G

Описание: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
NSB8KTHE3_A/P

NSB8KTHE3_A/P

Описание: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
NSBA114EDXV6T5

NSBA114EDXV6T5

Описание: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
NSB8MT-E3/81

NSB8MT-E3/81

Описание: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.