Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярный (БЮТ) - массивы, заранее > NSBA113EDXV6T1G
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
198851NSBA113EDXV6T1G Image.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSBA113EDXV6T1G

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
4000+
$0.104
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    NSBA113EDXV6T1G
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT563
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Модель ECAD
  • Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)
    50V
  • Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 5mA, 10mA
  • Тип транзистор
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Поставщик Упаковка устройства
    SC-88/SC70-6/SOT-363
  • Серии
    -
  • Резистор - основание эмиттера (R2)
    1 kOhms
  • Резистор - основание (R1)
    1 kOhms
  • Мощность - Макс
    250mW
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    13 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Частота - Переход
    -
  • Подробное описание
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
  • DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    3 @ 5mA, 10V
  • Ток - Коллектор Граничная (Макс)
    500nA
  • Ток - коллектор (Ic) (Макс)
    100mA
NSBA114TDP6T5G

NSBA114TDP6T5G

Описание: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
NSB8MTHE3/81

NSB8MTHE3/81

Описание: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
NSBA114EDXV6T5

NSBA114EDXV6T5

Описание: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
NSB8MTHE3_A/I

NSB8MTHE3_A/I

Описание: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
NSB8MT-E3/45

NSB8MT-E3/45

Описание: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
NSB8MTHE3_A/P

NSB8MTHE3_A/P

Описание: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
NSBA114EDXV6T5G

NSBA114EDXV6T5G

Описание: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
NSB9703

NSB9703

Описание: COMMON POINT GND CORD 10MM 10'

Производители: Desco
Быть в наличии
NSBA114TF3T5G

NSBA114TF3T5G

Описание: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
NSBA114TDXV6T5

NSBA114TDXV6T5

Описание: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
NSB8MTHE3/45

NSB8MTHE3/45

Описание: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
NSBA114EDXV6T1G

NSBA114EDXV6T1G

Описание: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
NSBA114EDP6T5G

NSBA114EDP6T5G

Описание: TRANS 2PNP PREBIAS 0.338W SOT963

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
NSBA113EF3T5G

NSBA113EF3T5G

Описание: TRANS PREBIAS DUAL PNP

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
NSB8MT-E3/81

NSB8MT-E3/81

Описание: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
NSBA113EDXV6T1

NSBA113EDXV6T1

Описание: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
NSBA114EF3T5G

NSBA114EF3T5G

Описание: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
NSB8KTHE3_A/P

NSB8KTHE3_A/P

Описание: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
NSBA114TDXV6T1

NSBA114TDXV6T1

Описание: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
NSB9435T1G

NSB9435T1G

Описание: TRANS PREBIAS PNP 0.72W SOT223

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти