Главная > Продукты > Интегрированные цепи (ICS) > Память > AS4C32M16D2B-25BINTR
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
5846766

AS4C32M16D2B-25BINTR

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
2500+
$2.973
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    AS4C32M16D2B-25BINTR
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
  • Модель ECAD
  • Время цикла записи - слово, страница
    15ns
  • Напряжение тока - поставка
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Технологии
    SDRAM - DDR2
  • Поставщик Упаковка устройства
    84-FBGA (8x12.5)
  • Серии
    -
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    84-TFBGA
  • Рабочая Температура
    -40°C ~ 95°C (TC)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Тип памяти
    Volatile
  • Размер памяти
    512Mb (32M x 16)
  • Интерфейс памяти
    Parallel
  • Формат памяти
    DRAM
  • Стандартное время изготовления
    8 Weeks
  • Подробное описание
    SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 400MHz 400ps 84-FBGA (8x12.5)
  • Тактовая частота
    400MHz
  • Время доступа
    400ps
AS4C32M16D3L-12BCNTR

AS4C32M16D3L-12BCNTR

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 96FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C32M16D3L-12BCN

AS4C32M16D3L-12BCN

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 96FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C32M16D3-12BINTR

AS4C32M16D3-12BINTR

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 96FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C32M16D2A-25BCN

AS4C32M16D2A-25BCN

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C32M16D2B-25BCN

AS4C32M16D2B-25BCN

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C32M16D2A-25BINTR

AS4C32M16D2A-25BINTR

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 84TFBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C32M16D3-12BIN

AS4C32M16D3-12BIN

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 96FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C32M16D2A-25BIN

AS4C32M16D2A-25BIN

Описание:

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C32M16D3-12BCN

AS4C32M16D3-12BCN

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 96FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C32M16D2B-25BIN

AS4C32M16D2B-25BIN

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C32M16D3-12BCNTR

AS4C32M16D3-12BCNTR

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 96FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C32M16MD1-5BCN

AS4C32M16MD1-5BCN

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 60FPBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C32M16D2-25BINTR

AS4C32M16D2-25BINTR

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 84TFBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C32M16MD1-5BCNTR

AS4C32M16MD1-5BCNTR

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 60FPBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C32M16D2A-25BAN

AS4C32M16D2A-25BAN

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C32M16D3L-12BIN

AS4C32M16D3L-12BIN

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 96FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C32M16D2B-25BCNTR

AS4C32M16D2B-25BCNTR

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C32M16D2A-25BCNTR

AS4C32M16D2A-25BCNTR

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 84TFBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C32M16D2A-25BANTR

AS4C32M16D2A-25BANTR

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии
AS4C32M16D3L-12BINTR

AS4C32M16D3L-12BINTR

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 96FBGA

Производители: Alliance Memory, Inc.
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти