Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > AOH3110
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
2022360AOH3110 Image.Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

AOH3110

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    AOH3110
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 100V 1A SOT223
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    2.9V @ 250µA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    SOT-223
  • Серии
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    700 mOhm @ 900mA, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    3.1W (Ta)
  • упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Упаковка /
    TO-261-4, TO-261AA
  • Другие названия
    785-1486-1
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    100pF @ 50V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    6nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    100V
  • Подробное описание
    N-Channel 100V 1A (Ta) 3.1W (Ta) Surface Mount SOT-223
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    1A (Ta)
BSS123L

BSS123L

Описание: MOSFET N-CH 100V 0.17A SOT-23

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
BUK9832-55A/CUX

BUK9832-55A/CUX

Описание: MOSFET N-CH 55V 12A SOT223

Производители: Nexperia
Быть в наличии
AOH3254

AOH3254

Описание: MOSFET N-CH 150V 5A SOT223-4

Производители: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Быть в наличии
DMN3052LSS-13

DMN3052LSS-13

Описание: MOSFET N-CH 30V 7.1A 8-SOIC

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
IXFT12N100

IXFT12N100

Описание: MOSFET N-CH 1000V 12A TO-268

Производители: IXYS Corporation
Быть в наличии
NVD5890NT4G

NVD5890NT4G

Описание: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
TPH3206PS

TPH3206PS

Описание: MOSFET N-CH 600V 17A TO220

Производители: Transphorm
Быть в наличии
TK62J60W,S1VQ

TK62J60W,S1VQ

Описание: MOSFET N CH 600V 61.8A TO-3P(N)

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
SI4463BDY-T1-E3

SI4463BDY-T1-E3

Описание: MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
IXTM5N100

IXTM5N100

Описание: POWER MOSFET TO-3

Производители: IXYS Corporation
Быть в наличии
AOH3106

AOH3106

Описание: MOSFET N-CH 100V 2A SOT223

Производители: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Быть в наличии
NTD20N03L27

NTD20N03L27

Описание: MOSFET N-CH 30V 20A DPAK

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
IPC95R1K2P7X7SA1

IPC95R1K2P7X7SA1

Описание: MOSFET N-CH BARE DIE

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
FDM21-05QC

FDM21-05QC

Описание: MOSFET N-CH 500V 21A I4-PAC-5

Производители: IXYS Corporation
Быть в наличии
NP40N10YDF-E1-AY

NP40N10YDF-E1-AY

Описание: MOSFET N-CH 100V 40A MP-25ZP

Производители: Renesas Electronics America
Быть в наличии
IPP100N06S2L05AKSA1

IPP100N06S2L05AKSA1

Описание: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
FQP6N60C

FQP6N60C

Описание: MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
TK100A08N1,S4X

TK100A08N1,S4X

Описание: MOSFET N-CH 80V 214A TO220SIS

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
SI2321DS-T1-GE3

SI2321DS-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT-23

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
IRLH6224TR2PBF

IRLH6224TR2PBF

Описание: MOSFET N CH 20V 28A PQFN 5X6 MM

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти