Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > DMN3052LSS-13
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
3458121DMN3052LSS-13 Image.Diodes Incorporated

DMN3052LSS-13

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$0.65
10+
$0.555
100+
$0.415
500+
$0.326
1000+
$0.252
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    DMN3052LSS-13
  • Изготовитель / Производитель
    Diodes Incorporated
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 30V 7.1A 8-SOIC
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    DMN3052LSS-13.pdf
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    1.2V @ 250µA
  • Vgs (макс.)
    ±12V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    8-SOP
  • Серии
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    30 mOhm @ 7.1A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    2.5W (Ta)
  • упаковка
    Original-Reel®
  • Упаковка /
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Другие названия
    1034-DMN3052LSSDIDKR
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    555pF @ 5V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    30V
  • Подробное описание
    N-Channel 30V 7.1A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOP
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    7.1A (Ta)

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15

Amazon увеличивает усилия по созда...

2024/11/14

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Южная Корея планирует ввести За...

2024/11/13
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с DMN3052LSS-13.
DMN3067LW-13

DMN3067LW-13

Описание: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3035LWN-13

DMN3035LWN-13

Описание: MOSFET 2 N-CH 5.5A VDFN3020-8

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3065LW-13

DMN3065LW-13

Описание: MOSFET N-CH 30V 4A SOT323

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3053L-7

DMN3053L-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3035LWN-7

DMN3035LWN-7

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3042L-7

DMN3042L-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3042LFDF-13

DMN3042LFDF-13

Описание: MOSFET N-CH 30V 7A UDFN2020-6

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3055LFDB-13

DMN3055LFDB-13

Описание: MOSFET 2 N-CH 5A UDFN2020-6

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN30H14DLY-13

DMN30H14DLY-13

Описание: MOSFET N-CH 300V .21A SOT-89

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3050S-7

DMN3050S-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT-23

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3067LW-7

DMN3067LW-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3065LW-7

DMN3065LW-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 4A SOT-323

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3042LFDF-7

DMN3042LFDF-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 7A UDFN2020-6

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3052L-7

DMN3052L-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 5.4A SOT23-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3051LDM-7

DMN3051LDM-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 4A SOT26

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3055LFDB-7

DMN3055LFDB-7

Описание: MOSFET 2 N-CH 5A UDFN2020-6

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3070SSN-7

DMN3070SSN-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 4.2A SC59

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3051L-7

DMN3051L-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3053L-13

DMN3053L-13

Описание: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3042L-13

DMN3042L-13

Описание: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.