Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > NE3512S02-A
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
3000510NE3512S02-A Image.CEL (California Eastern Laboratories)

NE3512S02-A

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    NE3512S02-A
  • Изготовитель / Производитель
    CEL (California Eastern Laboratories)
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    HJ-FET NCH 13.5DB S02
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    1.NE3512S02-A.pdf
    2.NE3512S02-A.pdf
  • Напряжение - испытания
    2V
  • Напряжение - Номинальный
    4V
  • Тип транзистор
    HFET
  • Поставщик Упаковка устройства
    S02
  • Серии
    -
  • Выходная мощность
    -
  • упаковка
    Bulk
  • Упаковка /
    4-SMD, Flat Leads
  • Другие названия
    NE3512S02A
  • Коэффициент шума
    0.35dB
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Усиление
    13.5dB
  • частота
    12GHz
  • Подробное описание
    RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 13.5dB S02
  • Текущий рейтинг
    70mA
  • Ток - Тест
    10mA
  • Номер базового номера
    NE3512

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15

Amazon увеличивает усилия по созда...

2024/11/14

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Южная Корея планирует ввести За...

2024/11/13
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с NE3512S02-A.
NE3511S02-A

NE3511S02-A

Описание: HJ-FET NCH 13.5DB S02

Производители: CEL (California Eastern Laboratories)
Быть в наличии
RFQ
NE3509M04-EVNF24-A

NE3509M04-EVNF24-A

Описание: EVAL DEV RF NE3509M04

Производители: CEL (California Eastern Laboratories)
Быть в наличии
RFQ
NE3508M04-T2-A

NE3508M04-T2-A

Описание: FET RF 4V 2GHZ 4-TSMM

Производители: CEL (California Eastern Laboratories)
Быть в наличии
RFQ
NE3515S02-T1D-A

NE3515S02-T1D-A

Описание: FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02

Производители: CEL (California Eastern Laboratories)
Быть в наличии
RFQ
NE3514S02-T1C-A

NE3514S02-T1C-A

Описание: HJ-FET NCH 10DB S02

Производители: CEL (California Eastern Laboratories)
Быть в наличии
RFQ
NE3515S02-T1C-A

NE3515S02-T1C-A

Описание: FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02

Производители: CEL (California Eastern Laboratories)
Быть в наличии
RFQ
NE3509M04-A

NE3509M04-A

Описание: FET RF 4V 2GHZ 4-SMINI

Производители: CEL (California Eastern Laboratories)
Быть в наличии
RFQ
NE3516S02-A

NE3516S02-A

Описание: IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX

Производители: CEL (California Eastern Laboratories)
Быть в наличии
RFQ
NE3515S02-A

NE3515S02-A

Описание: FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02

Производители: CEL (California Eastern Laboratories)
Быть в наличии
RFQ
NE3512S02-T1C-A

NE3512S02-T1C-A

Описание: HJ-FET NCH 13.5DB S02

Производители: CEL (California Eastern Laboratories)
Быть в наличии
RFQ
NE3510M04-A

NE3510M04-A

Описание: FET RF 4V 4GHZ M04

Производители: CEL (California Eastern Laboratories)
Быть в наличии
RFQ
NE3513M04-A

NE3513M04-A

Описание: FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD

Производители: CEL (California Eastern Laboratories)
Быть в наличии
RFQ
NE3509M04-T2-A

NE3509M04-T2-A

Описание: FET RF 4V 2GHZ SOT-343

Производители: CEL (California Eastern Laboratories)
Быть в наличии
RFQ
NE3510M04-T2-A

NE3510M04-T2-A

Описание: FET RF 4V 4GHZ M04

Производители: CEL (California Eastern Laboratories)
Быть в наличии
RFQ
NE3513M04-T2-A

NE3513M04-T2-A

Описание: FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD

Производители: CEL (California Eastern Laboratories)
Быть в наличии
RFQ
NE3508M04-A

NE3508M04-A

Описание: FET RF 4V 2GHZ 4-TSMM

Производители: CEL (California Eastern Laboratories)
Быть в наличии
RFQ
NE3508M04-EVNF23-A

NE3508M04-EVNF23-A

Описание: EVAL DEV RF NE3508M04

Производители: CEL (California Eastern Laboratories)
Быть в наличии
RFQ
NE3511S02-T1C-A

NE3511S02-T1C-A

Описание: IC AMP RF LNA 13.5DB S02

Производители: CEL (California Eastern Laboratories)
Быть в наличии
RFQ
NE3513M04-T2B-A

NE3513M04-T2B-A

Описание: FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD

Производители: CEL (California Eastern Laboratories)
Быть в наличии
RFQ
NE3514S02-A

NE3514S02-A

Описание: HJ-FET NCH 10DB S02

Производители: CEL (California Eastern Laboratories)
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.