Главная > Продукты > Конденсаторы > Пленочные конденсаторы > DMT1W1K-F
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
4277151DMT1W1K-F Image.Cornell Dubilier Electronics

DMT1W1K-F

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1000+
$1.512
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    DMT1W1K-F
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    CAP FILM 1UF 10% 100VDC RADIAL
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Модель ECAD
  • Номинальное напряжение - DC
    100V
  • Номинальное напряжение - AC
    65V
  • Толерантность
    ±10%
  • прекращение
    PC Pins
  • Размер / Dimension
    1.331" L x 0.520" W (33.80mm x 13.20mm)
  • Серии
    DMT
  • Рейтинги
    -
  • упаковка
    Bulk
  • Упаковка /
    Radial
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 125°C
  • Тип установки
    Through Hole
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    14 Weeks
  • Шаг выводов
    1.169" (29.70mm)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Высота - Сидящая (Макс)
    0.824" (20.92mm)
  • Особенности
    -
  • диэлектрического материала
    Polyester, Metallized
  • Подробное описание
    1µF Film Capacitor 65V 100V Polyester, Metallized Radial
  • емкость
    1µF
  • Приложения
    General Purpose
DMT1S33K-F

DMT1S33K-F

Описание: CAP FILM 0.033UF 10% 100VDC RAD

Производители: Cornell Dubilier Electronics
Быть в наличии
DMT2004UFDF-13

DMT2004UFDF-13

Описание: MOSFET NCH 24V 14.1A UDFN2020

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMT2004UFDF-7

DMT2004UFDF-7

Описание: MOSFET NCH 24V 14.1A UDFN2020

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMT1S1K-F

DMT1S1K-F

Описание: CAP FILM 10000PF 10% 100VDC RAD

Производители: Cornell Dubilier Electronics
Быть в наличии
DMT2004UPS-13

DMT2004UPS-13

Описание: MOSFET N-CH 24V 80A POWERDI5060

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMT1S15K-F

DMT1S15K-F

Описание: CAP FILM 0.015UF 10% 100VDC RAD

Производители: Cornell Dubilier Electronics
Быть в наличии
DMT2P22K-F

DMT2P22K-F

Описание: CAP FILM 0.22UF 10% 250VDC RAD

Производители: Cornell Dubilier Electronics
Быть в наличии
DMT1S15K

DMT1S15K

Описание: CAP FILM 0.015UF 10% 100VDC RAD

Производители: Cornell Dubilier Electronics
Быть в наличии
DMT2D22K-F

DMT2D22K-F

Описание: CAP FILM 2200PF 10% 250VDC RAD

Производители: Cornell Dubilier Electronics
Быть в наличии
DMT1S68K-F

DMT1S68K-F

Описание: CAP FILM 0.068UF 10% 100VDC RAD

Производители: Cornell Dubilier Electronics
Быть в наличии
DMT1P68K-F

DMT1P68K-F

Описание: CAP FILM 0.68UF 10% 100VDC RAD

Производители: Cornell Dubilier Electronics
Быть в наличии
DMT2004UFG-13

DMT2004UFG-13

Описание: MOSFET N-CH 24V 70A POWERDI3333

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMT1S22K-F

DMT1S22K-F

Описание: CAP FILM 0.022UF 10% 100VDC RAD

Производители: Cornell Dubilier Electronics
Быть в наличии
DMT2004UFG-7

DMT2004UFG-7

Описание: MOSFET N-CH 24V 70A POWERDI3333

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMT2P33K-F

DMT2P33K-F

Описание: CAP FILM 0.33UF 10% 250VDC RAD

Производители: Cornell Dubilier Electronics
Быть в наличии
DMT2D47K-F

DMT2D47K-F

Описание: CAP FILM 4700PF 10% 250VDC RAD

Производители: Cornell Dubilier Electronics
Быть в наличии
DMT1S33K

DMT1S33K

Описание: CAP FILM 0.033UF 10% 100VDC RAD

Производители: Cornell Dubilier Electronics
Быть в наличии
DMT2P1K-F

DMT2P1K-F

Описание: CAP FILM 0.1UF 10% 250VDC RADIAL

Производители: Cornell Dubilier Electronics
Быть в наличии
DMT1S47K-F

DMT1S47K-F

Описание: CAP FILM 0.047UF 10% 100VDC RAD

Производители: Cornell Dubilier Electronics
Быть в наличии
DMT1S22K

DMT1S22K

Описание: CAP FILM 0.022UF 10% 100VDC RAD

Производители: Cornell Dubilier Electronics
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти