Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > DMN3012LFG-13
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
849396

DMN3012LFG-13

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
3000+
$0.776
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    DMN3012LFG-13
  • Изготовитель / Производитель
    Diodes Incorporated
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    DMN3012LFG-13.pdf
  • Модель ECAD
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA
  • Поставщик Упаковка устройства
    PowerDI3333-8
  • Серии
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    12 mOhm @ 15A, 5V, 6 mOhm @ 15A, 5V
  • Мощность - Макс
    2.2W
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    8-PowerLDFN
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Стандартное время изготовления
    32 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    850pF @ 15V, 1480pF @ 15V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V
  • Тип FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET Характеристика
    Standard
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    30V
  • Подробное описание
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 20A (Tc) 2.2W Surface Mount PowerDI3333-8
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    20A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip объявляет о 500 увольнениях,...

2024/12/4

Quanta: AI -спрос продолжает остават...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung значительно снижает исполь...

2024/12/2

Vishay инвестирует 51 миллион фунто...

2024/11/29

Тарифная угроза Трампа, NVIDIA, Intel ...

2024/11/28

Intel получит 7,86 млрд. Долл. США в р...

2024/11/27
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с DMN3012LFG-13.
DMN3009SFG-7

DMN3009SFG-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3016LDN-13

DMN3016LDN-13

Описание: MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3010LSS-13

DMN3010LSS-13

Описание: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3012LFG-7

DMN3012LFG-7

Описание: MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3010LFG-7

DMN3010LFG-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 11A POWERDI

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3009SK3-13

DMN3009SK3-13

Описание: MOSFET N-CHANNEL 30V 80A TO252

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3015LSD-13

DMN3015LSD-13

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3016LDN-7

DMN3016LDN-7

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3009SFG-13

DMN3009SFG-13

Описание: MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3010LFG-13

DMN3010LFG-13

Описание: MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3016LFDE-13

DMN3016LFDE-13

Описание: MOSFET N-CH 30V U-DFN2020-6

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3016LFDF-7

DMN3016LFDF-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 12A UDFN2020-6

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3009SFGQ-7

DMN3009SFGQ-7

Описание: MOSFET N-CH 30VPOWERDI3333-8

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3016LDV-13

DMN3016LDV-13

Описание: MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3016LDV-7

DMN3016LDV-7

Описание: MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3009LFVW-7

DMN3009LFVW-7

Описание: MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3009SFGQ-13

DMN3009SFGQ-13

Описание: MOSFETN-CH 30VPOWERDI3333-8

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3010LK3-13

DMN3010LK3-13

Описание: MOSFET N-CH 30V 43A TO252

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3016LFDF-13

DMN3016LFDF-13

Описание: MOSFET N-CH 30V 12A UDFN2020-6

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3016LFDE-7

DMN3016LFDE-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 10A U-DFN2020-6

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиНовостиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.