Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > DMN3065LW-7
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
245135DMN3065LW-7 Image.Diodes Incorporated

DMN3065LW-7

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
3000+
$0.109
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    DMN3065LW-7
  • Изготовитель / Производитель
    Diodes Incorporated
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 30V 4A SOT-323
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    DMN3065LW-7.pdf
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (макс.)
    ±12V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    SOT-323
  • Серии
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    52 mOhm @ 4A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    770mW (Ta)
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    SC-70, SOT-323
  • Другие названия
    DMN3065LW-7DITR
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    16 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    465pF @ 15V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    11.7nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    30V
  • Подробное описание
    N-Channel 30V 4A (Ta) 770mW (Ta) Surface Mount SOT-323
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    4A (Ta)
  • Номер базового номера
    DMN3065

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15

Amazon увеличивает усилия по созда...

2024/11/14

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Южная Корея планирует ввести За...

2024/11/13
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с DMN3065LW-7.
DMN3110LCP3-7

DMN3110LCP3-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 3.2A X2DFN1006-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3067LW-7

DMN3067LW-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3067LW-13

DMN3067LW-13

Описание: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3052LSS-13

DMN3052LSS-13

Описание: MOSFET N-CH 30V 7.1A 8-SOIC

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3053L-13

DMN3053L-13

Описание: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3050S-7

DMN3050S-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT-23

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN30H4D0LFDE-13

DMN30H4D0LFDE-13

Описание: MOSFET N-CH 300V 0.55A 6UDFN

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3052L-7

DMN3052L-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 5.4A SOT23-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3055LFDB-7

DMN3055LFDB-7

Описание: MOSFET 2 N-CH 5A UDFN2020-6

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN30H4D0LFDE-7

DMN30H4D0LFDE-7

Описание: MOSFET N-CH 300V .55A 6UDFN

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN30H4D0L-13

DMN30H4D0L-13

Описание: MOSFET N-CH 300V .25A SOT23

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3053L-7

DMN3053L-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3055LFDB-13

DMN3055LFDB-13

Описание: MOSFET 2 N-CH 5A UDFN2020-6

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3070SSN-7

DMN3070SSN-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 4.2A SC59

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3110S-7

DMN3110S-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3065LW-13

DMN3065LW-13

Описание: MOSFET N-CH 30V 4A SOT323

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3051L-7

DMN3051L-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN30H4D0L-7

DMN30H4D0L-7

Описание: MOSFET N-CH 300V .25A SOT-23

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN30H14DLY-13

DMN30H14DLY-13

Описание: MOSFET N-CH 300V .21A SOT-89

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3051LDM-7

DMN3051LDM-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 4A SOT26

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.