Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > DMN3112SSS-13
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
5770783DMN3112SSS-13 Image.Diodes Incorporated

DMN3112SSS-13

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    DMN3112SSS-13
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 30V 6A 8SOP
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    8-SOP
  • Серии
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    57 mOhm @ 5.8A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    2.5W (Ta)
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Другие названия
    DMN3112SSS13
    DMN3112SSSDITR
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    268pF @ 15V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    30V
  • Подробное описание
    N-Channel 30V 6A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOP
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    6A (Ta)
DMN31D6UT-13

DMN31D6UT-13

Описание: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMN3070SSN-7

DMN3070SSN-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 4.2A SC59

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMN31D6UT-7

DMN31D6UT-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMN30H4D0L-7

DMN30H4D0L-7

Описание: MOSFET N-CH 300V .25A SOT-23

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMN313DLT-7

DMN313DLT-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 0.27A SOT523

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMN3190LDW-7

DMN3190LDW-7

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMN3112S-7

DMN3112S-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMN3110S-7

DMN3110S-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMN3150LW-7

DMN3150LW-7

Описание: MOSFET N-CH 28V 1.6A SC70-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMN30H4D0LFDE-7

DMN30H4D0LFDE-7

Описание: MOSFET N-CH 300V .55A 6UDFN

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMN3135LVT-7

DMN3135LVT-7

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMN3067LW-7

DMN3067LW-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMN3190LDW-13

DMN3190LDW-13

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMN31D5UFZ-7B

DMN31D5UFZ-7B

Описание: MOSFET N-CH 30V .22A X2-DFN0606-

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMN30H14DLY-13

DMN30H14DLY-13

Описание: MOSFET N-CH 300V .21A SOT-89

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMN3150L-7

DMN3150L-7

Описание: MOSFET N-CH 28V 3.2A SOT23-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMN30H4D0LFDE-13

DMN30H4D0LFDE-13

Описание: MOSFET N-CH 300V 0.55A 6UDFN

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMN3110LCP3-7

DMN3110LCP3-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 3.2A X2DFN1006-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMN30H4D0L-13

DMN30H4D0L-13

Описание: MOSFET N-CH 300V .25A SOT23

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMN3115UDM-7

DMN3115UDM-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-26

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти