Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > DMN3190LDW-7
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
7053963DMN3190LDW-7 Image.Diodes Incorporated

DMN3190LDW-7

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$0.59
10+
$0.426
100+
$0.251
500+
$0.142
1000+
$0.109
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    DMN3190LDW-7
  • Изготовитель / Производитель
    Diodes Incorporated
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    DMN3190LDW-7.pdf
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    2.8V @ 250µA
  • Поставщик Упаковка устройства
    SOT-363
  • Серии
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    190 mOhm @ 1.3A, 10V
  • Мощность - Макс
    320mW
  • упаковка
    Original-Reel®
  • Упаковка /
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Другие названия
    DMN3190LDW-7DIDKR
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    32 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    87pF @ 20V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    2nC @ 10V
  • Тип FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET Характеристика
    Logic Level Gate
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    30V
  • Подробное описание
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 1A 320mW Surface Mount SOT-363
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    1A

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15

Amazon увеличивает усилия по созда...

2024/11/14

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Южная Корея планирует ввести За...

2024/11/13
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с DMN3190LDW-7.
DMN3115UDM-7

DMN3115UDM-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-26

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3110S-7

DMN3110S-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN32D2LFB4-7

DMN32D2LFB4-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 300MA 3-DFN

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3200U-7

DMN3200U-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3150L-7

DMN3150L-7

Описание: MOSFET N-CH 28V 3.2A SOT23-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3112SSS-13

DMN3112SSS-13

Описание: MOSFET N-CH 30V 6A 8SOP

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3112S-7

DMN3112S-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3150LW-7

DMN3150LW-7

Описание: MOSFET N-CH 28V 1.6A SC70-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN31D6UT-13

DMN31D6UT-13

Описание: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN313DLT-7

DMN313DLT-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 0.27A SOT523

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3110LCP3-7

DMN3110LCP3-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 3.2A X2DFN1006-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN31D6UT-7

DMN31D6UT-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3300U-7

DMN3300U-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN32D2LDF-7

DMN32D2LDF-7

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN32D4SDW-13

DMN32D4SDW-13

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3190LDW-13

DMN3190LDW-13

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN32D2LV-7

DMN32D2LV-7

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT-563

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN31D5UFZ-7B

DMN31D5UFZ-7B

Описание: MOSFET N-CH 30V .22A X2-DFN0606-

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3135LVT-7

DMN3135LVT-7

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN32D4SDW-7

DMN32D4SDW-7

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.