Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > DMN3200U-7
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
4199760DMN3200U-7 Image.Diodes Incorporated

DMN3200U-7

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$0.59
10+
$0.497
100+
$0.373
500+
$0.274
1000+
$0.211
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    DMN3200U-7
  • Изготовитель / Производитель
    Diodes Incorporated
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    DMN3200U-7.pdf
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (макс.)
    ±8V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    SOT-23-3
  • Серии
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    90 mOhm @ 2.2A, 4.5V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    650mW (Ta)
  • упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Упаковка /
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Другие названия
    DMN3200U-7DICT
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    32 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    290pF @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    30V
  • Подробное описание
    N-Channel 30V 2.2A (Ta) 650mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    2.2A (Ta)

Антропик получает еще 4 миллиард...

2024/11/23

Полу: продажи IC увеличиваются на...

2024/11/22

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15

Amazon увеличивает усилия по созда...

2024/11/14

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

2024/11/13
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с DMN3200U-7.
DMN32D4SDW-7

DMN32D4SDW-7

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3190LDW-7

DMN3190LDW-7

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN32D2LFB4-7

DMN32D2LFB4-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 300MA 3-DFN

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN32D2LDF-7

DMN32D2LDF-7

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN33D8LDW-7

DMN33D8LDW-7

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN31D6UT-13

DMN31D6UT-13

Описание: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN31D6UT-7

DMN31D6UT-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN33D8LT-7

DMN33D8LT-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 0.115A

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN31D5UFZ-7B

DMN31D5UFZ-7B

Описание: MOSFET N-CH 30V .22A X2-DFN0606-

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3150LW-7

DMN3150LW-7

Описание: MOSFET N-CH 28V 1.6A SC70-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN33D8LT-13

DMN33D8LT-13

Описание: MOSFET N-CH 30V 0.115A

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN32D4SDW-13

DMN32D4SDW-13

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3135LVT-7

DMN3135LVT-7

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3190LDW-13

DMN3190LDW-13

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN33D8LDW-13

DMN33D8LDW-13

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3150L-7

DMN3150L-7

Описание: MOSFET N-CH 28V 3.2A SOT23-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN32D2LV-7

DMN32D2LV-7

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT-563

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3115UDM-7

DMN3115UDM-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-26

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN3300U-7

DMN3300U-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN313DLT-7

DMN313DLT-7

Описание: MOSFET N-CH 30V 0.27A SOT523

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.