Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > DMN4468LSS-13
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
3873885DMN4468LSS-13 Image.Diodes Incorporated

DMN4468LSS-13

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
2500+
$0.169
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    DMN4468LSS-13
  • Изготовитель / Производитель
    Diodes Incorporated
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N CH 30V 10A 8SOP
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    DMN4468LSS-13.pdf
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    1.95V @ 250µA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    8-SO
  • Серии
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    14 mOhm @ 11.6A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    1.52W (Ta)
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Другие названия
    DMN4468LSS-13DI
    DMN4468LSS-13DI-ND
    DMN4468LSS-13DITR
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    32 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    867pF @ 10V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    18.85nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    30V
  • Подробное описание
    N-Channel 30V 10A (Ta) 1.52W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    10A (Ta)

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15

Amazon увеличивает усилия по созда...

2024/11/14

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Южная Корея планирует ввести За...

2024/11/13
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с DMN4468LSS-13.
DMN53D0LDW-7

DMN53D0LDW-7

Описание: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN53D0LDW-13

DMN53D0LDW-13

Описание: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN4031SSDQ-13

DMN4031SSDQ-13

Описание: MOSFET 2N-CH 40V 5.2A 8SOIC

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN4800LSSQ-13

DMN4800LSSQ-13

Описание: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-SO

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN4030LK3-13

DMN4030LK3-13

Описание: MOSFET N-CH 40V 9.4A DPAK

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN4800LSSL-13

DMN4800LSSL-13

Описание: MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN4060SVT-7

DMN4060SVT-7

Описание: MOSFET N-CH 45V 4.8A TSOT26

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN4031SSD-13

DMN4031SSD-13

Описание: MOSFET 2N-CH 40V 5.2A 8SO

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN4040SK3-13

DMN4040SK3-13

Описание: MOSFET N-CH 40V 6A TO-252-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN53D0L-13

DMN53D0L-13

Описание: MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN4036LK3Q-13

DMN4036LK3Q-13

Описание: MOSFET BVDSS: 31V 40V TO252 T&R

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN53D0L-7

DMN53D0L-7

Описание: MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN4034SSD-13

DMN4034SSD-13

Описание: MOSFET 2N-CH 40V 4.8A 8SO

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN53D0LQ-13

DMN53D0LQ-13

Описание: MOSFET NCH 50V 500MA SOT23

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN4034SSS-13

DMN4034SSS-13

Описание: MOSFET N-CH 40V 5.4A 8SO

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN4036LK3-13

DMN4036LK3-13

Описание: MOSFET N-CH 40V 8.5A DPAK

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN4800LSS-13

DMN4800LSS-13

Описание: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN4027SSS-13

DMN4027SSS-13

Описание: MOSFET N-CH 40V 6A 8SO

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN5010VAK-7

DMN5010VAK-7

Описание: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN53D0LQ-7

DMN53D0LQ-7

Описание: MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.