Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > DMN53D0LDW-13
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
2714716DMN53D0LDW-13 Image.Diodes Incorporated

DMN53D0LDW-13

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
10000+
$0.056
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    DMN53D0LDW-13
  • Изготовитель / Производитель
    Diodes Incorporated
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    DMN53D0LDW-13.pdf
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Поставщик Упаковка устройства
    SOT-363
  • Серии
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.6 Ohm @ 500mA, 10V
  • Мощность - Макс
    310mW
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Другие названия
    DMN53D0LDW-13DI
    DMN53D0LDW-13DI-ND
    DMN53D0LDW-13DITR
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    24 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    46pF @ 25V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    0.6nC @ 4.5V
  • Тип FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET Характеристика
    Logic Level Gate
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    50V
  • Подробное описание
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 360mA 310mW Surface Mount SOT-363
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    360mA

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15

Amazon увеличивает усилия по созда...

2024/11/14

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Южная Корея планирует ввести За...

2024/11/13
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с DMN53D0LDW-13.
DMN53D0LDW-7

DMN53D0LDW-7

Описание: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN53D0LQ-7

DMN53D0LQ-7

Описание: MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN5010VAK-7

DMN5010VAK-7

Описание: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN53D0LQ-13

DMN53D0LQ-13

Описание: MOSFET NCH 50V 500MA SOT23

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN4800LSSQ-13

DMN4800LSSQ-13

Описание: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-SO

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN53D0L-7

DMN53D0L-7

Описание: MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN4800LSSL-13

DMN4800LSSL-13

Описание: MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN4040SK3-13

DMN4040SK3-13

Описание: MOSFET N-CH 40V 6A TO-252-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN5L06-7

DMN5L06-7

Описание: MOSFET N-CH 50V 280MA SOT23-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN55D0UTQ-7

DMN55D0UTQ-7

Описание: MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN4468LSS-13

DMN4468LSS-13

Описание: MOSFET N CH 30V 10A 8SOP

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN4800LSS-13

DMN4800LSS-13

Описание: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN55D0UT-7

DMN55D0UT-7

Описание: MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN53D0LW-13

DMN53D0LW-13

Описание: MOSFET N-CH 50V SOT323

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN53D0L-13

DMN53D0L-13

Описание: MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN4036LK3Q-13

DMN4036LK3Q-13

Описание: MOSFET BVDSS: 31V 40V TO252 T&R

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN53D0U-7

DMN53D0U-7

Описание: MOSFET N-CH 50V 0.3A SOT23

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN53D0LW-7

DMN53D0LW-7

Описание: MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN53D0U-13

DMN53D0U-13

Описание: MOSFET N-CH 50V 0.3A SOT23

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
DMN4060SVT-7

DMN4060SVT-7

Описание: MOSFET N-CH 45V 4.8A TSOT26

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.