Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > DMT8012LK3-13
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
1895669DMT8012LK3-13 Image.Diodes Incorporated

DMT8012LK3-13

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$0.883
10+
$0.702
30+
$0.624
100+
$0.527
500+
$0.484
1000+
$0.458
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    DMT8012LK3-13
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Содержит совместимость с RoHS / RoHS
  • Спецификация
  • Модель ECAD
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    TO-252
  • Серии
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    17 mOhm @ 12A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    2.7W (Ta)
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Другие названия
    DMT8012LK3-13DITR
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    24 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    1949pF @ 40V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    34nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    80V
  • Подробное описание
    N-Channel 80V 44A (Tc) 2.7W (Ta) Surface Mount TO-252
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    44A (Tc)
DMT8012LFG-13

DMT8012LFG-13

Описание: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMT6P1K

DMT6P1K

Описание: CAP FILM 0.1UF 10% 630VDC RADIAL

Производители: Cornell Dubilier Electronics
Быть в наличии
DMTH10H005SCT

DMTH10H005SCT

Описание: MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMTH10H005LCT

DMTH10H005LCT

Описание: MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMT6D47K-F

DMT6D47K-F

Описание: CAP FILM 4700PF 10% 630VDC RAD

Производители: Cornell Dubilier Electronics
Быть в наличии
DMTH10H010SPS-13

DMTH10H010SPS-13

Описание: MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMT6D1K

DMT6D1K

Описание: CAP FILM 1000PF 10% 630VDC RAD

Производители: Cornell Dubilier Electronics
Быть в наличии
DMT69M8LPS-13

DMT69M8LPS-13

Описание: MOSFET N-CHA 60V 10.2A POWERDI

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMTH10H010LCTB-13

DMTH10H010LCTB-13

Описание: MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMT8012LPS-13

DMT8012LPS-13

Описание:

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMT69M8LSS-13

DMT69M8LSS-13

Описание: MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMTH10H015LK3-13

DMTH10H015LK3-13

Описание: MOSFET NCH 100V 52.5A TO252

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMTH10H010LCT

DMTH10H010LCT

Описание: MOSFET 100V 108A TO220AB

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMT69M8LFV-7

DMT69M8LFV-7

Описание:

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMTH10H015LPS-13

DMTH10H015LPS-13

Описание: MOSFET NCH 100V 7.3A POWERDI

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMT6D33K-F

DMT6D33K-F

Описание: CAP FILM 3300PF 10% 630VDC RAD

Производители: Cornell Dubilier Electronics
Быть в наличии
DMTH10H010SPSQ-13

DMTH10H010SPSQ-13

Описание: MOSFET N-CHAN 61V 100V POWERDI50

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMT8012LSS-13

DMT8012LSS-13

Описание:

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMT8012LFG-7

DMT8012LFG-7

Описание: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMT6P1K-F

DMT6P1K-F

Описание: CAP FILM 0.1UF 10% 630VDC RADIAL

Производители: Cornell Dubilier Electronics
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти