Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > ZXMN3G32DN8TA
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
6177025ZXMN3G32DN8TA Image.Diodes Incorporated

ZXMN3G32DN8TA

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$0.98
10+
$0.86
100+
$0.659
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    ZXMN3G32DN8TA
  • Изготовитель / Производитель
    Diodes Incorporated
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    ZXMN3G32DN8TA.pdf
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Поставщик Упаковка устройства
    8-SO
  • Серии
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    28 mOhm @ 6A, 10V
  • Мощность - Макс
    1.8W
  • упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Упаковка /
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Другие названия
    1034-ZXMN3G32DN8CT
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    26 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    472pF @ 15V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    10.5nC @ 10V
  • Тип FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET Характеристика
    Logic Level Gate
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    30V
  • Подробное описание
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.5A 1.8W Surface Mount 8-SO
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    5.5A

Графическая карта NVIDIA RTX 5090 имее...

2024/11/25

Антропик получает еще 4 миллиард...

2024/11/23

Полу: продажи IC увеличиваются на...

2024/11/22

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15

Amazon увеличивает усилия по созда...

2024/11/14
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с ZXMN3G32DN8TA.
ZXMN3A14FTA

ZXMN3A14FTA

Описание: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN3A14FQTA

ZXMN3A14FQTA

Описание: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT23-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN3F30FHTA

ZXMN3F30FHTA

Описание: MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN3B04N8TA

ZXMN3B04N8TA

Описание: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN6A08GQTC

ZXMN6A08GQTC

Описание: MOSFETN-CH 60VSOT223

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN3F31DN8TA

ZXMN3F31DN8TA

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN6A07ZTA

ZXMN6A07ZTA

Описание: MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT-89

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN3B01FTA

ZXMN3B01FTA

Описание: MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN6A07FTA

ZXMN6A07FTA

Описание: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN3B04N8TC

ZXMN3B04N8TC

Описание: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SOIC

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN6A08E6TC

ZXMN6A08E6TC

Описание: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN4A06KTC

ZXMN4A06KTC

Описание: MOSFET N-CH 40V 7.2A DPAK

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN3B14FTA

ZXMN3B14FTA

Описание: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN3AMCTA

ZXMN3AMCTA

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A DFN

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN3AM832TA

ZXMN3AM832TA

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN6A07FTC

ZXMN6A07FTC

Описание: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN6A08GQTA

ZXMN6A08GQTA

Описание: MOSFET N-CH 60VSOT223

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN6A08E6TA

ZXMN6A08E6TA

Описание: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN6A08E6QTA

ZXMN6A08E6QTA

Описание: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN4A06GTA

ZXMN4A06GTA

Описание: MOSFET N-CH 40V 5A SOT223

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.